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一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路

摘要

本发明公开一种抗γ瞬时电离剂量率辐射的LDO电路,包括误差放大器、输出驱动电路、反馈放大电路、输出调整管和采样电阻模块;误差放大器输出端经输出驱动电路连接输出调整管的驱动端;反相端连接基准电压源产生的参考电压;输出调整管的输入端连接输入电压,输出端输出输出电压;输出端经接地的采样电阻模块连接误差放大器的正相端,形成第一反馈环路;输出端经反馈放大电路连接输出驱动电路,形成第二反馈环路。能够有效减少LDO的输出电压在辐照瞬间发生扰动恢复时间。增强LDO电路对瞬时辐射引起输出电压变化的响应速度,提高LDO电路抗γ瞬时电离剂量率辐射能力;可以应用于任何LDO电路的抗瞬时辐射效应的加固设计。

著录项

  • 公开/公告号CN108415506A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安微电子技术研究所;

    申请/专利号CN201810169099.6

  • 发明设计人 刘智;梁希;姜洪雨;葛梅;

    申请日2018-02-28

  • 分类号G05F3/26(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人徐文权

  • 地址 710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号

  • 入库时间 2023-06-19 06:11:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/26 申请日:20180228

    实质审查的生效

  • 2018-08-17

    公开

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