LDO抗γ瞬时电离剂量率辐射加固研究

摘要

为增强战略武器在核爆炸辐射环境中的生存能力，需要提高其电子设备的抗γ射线脉冲(γ剂量率)的能力。高性能LDO的γ瞬时电离剂量率辐射效应非常显著,有效提高其抗γ瞬时剂量率辐射效应能力是一个巨大的挑战.本文分别从电路级加固、器件级加固和工艺加固角度出发,采取综合加固措施来提高高性能LDO电路的抗γ瞬时电离剂量率的能力.电路级加固方面提出一种输出负反馈增强电路,增强LDO电路对瞬时辐射引起输出电压急剧变化的响应速度来提高LDO的抗γ瞬时电离剂量率辐射能力;器件级加固方面采用了多晶硅发射极NPN管、栅控PNP管和抑制闩锁的版图加固措施;工艺加固方面研发了轻掺杂的厚度精确控制的薄外延层工艺.辐照试验结果表明加固后的高性能LDO的抗γ瞬时电离剂量率大于1×109Gy(Si)/s.