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一种在超高温陶瓷粉体表面原位合成SiC纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种在超高温陶瓷粉体表面原位合成SiC纳米线的方法。该方法包括步骤:(1)将Si粉、SiC粉和ZrB

著录项

  • 公开/公告号CN108373333A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201810105869.0

  • 发明设计人 褚衍辉;敬思仪;刘达;叶贝琳;

    申请日2018-01-31

  • 分类号

  • 代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 06:10:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/626 申请日:20180131

    实质审查的生效

  • 2018-08-07

    公开

    公开

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