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形成具有半导体发光器件以改善发射波长均匀性的产品晶片的方法

摘要

形成具有半导体发光器件以提高发射波长均匀性的产品晶片的方法包括估计或者测量已经形成的产品晶片的发光器件的发射波长的空间变化。该方法还可以包括限定用于反馈回到上游过程以减少在形成新的产品晶片时的发射波长的变化的校正温度分布。该方法还可以包括在形成新的产品晶片时施加校正温度分布,使得新的产品晶片在形成发光器件时比已经形成的产品晶片具有更高的产量。

著录项

  • 公开/公告号CN108389939A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 超科技公司;

    申请/专利号CN201810103979.3

  • 发明设计人 A·M·霍里鲁克;

    申请日2018-02-02

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人周阳君

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-06-19 06:33:14

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20180810 申请日:20180202

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-08-10

    公开

    公开

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