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公开/公告号CN108389939A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-10
原文格式PDF
申请/专利权人 超科技公司;
申请/专利号CN201810103979.3
发明设计人 A·M·霍里鲁克;
申请日2018-02-02
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人周阳君
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 06:33:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-24
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20180810 申请日:20180202
发明专利申请公布后的视为撤回
2018-08-10
公开
机译: 具有半导体发光器件以改善发射波长均匀性的产品晶片的形成方法
机译: 具有半导体发光器件以提高发射波长均匀性的产品晶片的形成方法
机译:临时均匀性,如东京大学,一种薄的有机半导体晶体薄膜晶片,具有简单的印刷方法,通过简单的印刷方法实现实际水平的均匀性和可靠性。
机译:使用半导体晶片的波长相关发射率模拟快速热处理站中的传热
机译:具有12英寸晶片水平的等离子体蚀刻制造的深层硅空腔的均匀性改善
机译:增加发射电流密度并改善形成的MIM发射器阵列的发射均匀性的方法
机译:导波光学中的主题:单波长蚀刻耦合腔铟镓-砷磷/铟磷半导体激光器的发射功率为1.3微米,大功率半导体激光阵列的发射率和入射角为三角形。
机译:采用具有电场独立发射的微接触印刷的顶部发射量子点发光器件
机译:发光器件:具有稳健磷光铂(II)发射器的高效聚合物发光器件(II)含有Tetradate DianionicO∧n∧n∧nnlnaitands的发射器(ADV。Mater。46/2013)
机译:使用金属卤化物制造具有阻挡膜形成的半导体器件的方法及其产品。