用于先进CMP及凹槽流的间隙填充膜改性

摘要

本文描述的实施方案关于用于形成间隙填充材料的方法。在沉积间隙填充材料之后并在间隙填充材料上执行CMP工艺之前，利用一种或多种离子注入工艺来处理沉积的间隙填充材料。所述一种或多种离子注入工艺包括使用第一离子能量在所述间隙填充材料中注入第一离子物种，并且随后使用低于所述第一离子能量的第二离子能量在所述间隙填充材料中注入第二离子物种。所述一种或更多种离子注入工艺最小化CMP凹陷并改良凹槽的轮廓。