一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构

摘要

本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层、第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层、第二层低掺杂层和第二层重掺杂导电层；第一层低掺杂层、宽禁带的势垒层和第二层低掺杂层形成异质结势垒结构。外延结构包括金属阳极、金属阴极和上述GaN基异质结变容管装置；金属阳极和金属阴极之间存在凹槽，凹槽的底部为第一层重掺杂导电层。本发明功率特性较好，不会限制倍频源的输出功率特性，可以实现大功率应用，可以用于大功率输入奇次倍频电路。