法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01C19/72 申请日:20180212
实质审查的生效
2018-07-27
公开
公开
机译: 光电半导体芯片超发光二极管,例如用于显示器的背光源,具有用于产生辐射的有源层,该有源层的泵浦路径形成为曲折形状,并在横向截面中受到台面沟槽的限制
机译: 由超连续光源和单波长半导体激光二极管组成的宽带光源
机译: 肖特基势垒二极管光电探测器,特别是。用于红外辐射-具有由铁或铂金制成的金属薄膜。或通过各向异性蚀刻使沉积在半导体表面上的硅化物不规则