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缝槽型波导结构及其制造方法、使用该波导结构的MZI结构

摘要

本发明提供了一种缝槽型波导结构及其制造方法、和使用缝槽型波导结构的MZI(Mach‑Zehnder Interference:马赫曾德尔干涉)结构,通过在沿光传播方向延伸的缝槽状低折射率波导的两侧分别设置高折射率波导来构成缝槽型波导结构,其中利用低高折射率波导间的边界限定而使所传输的光信号被限制在低折射率波导中,从而降低了光信号在波导结构中的散射和吸收,降低了光信号在波导结构的传输损耗,由此可以降低移相臂的波导结构间的损耗差值大所导致的MZI结构的滤波器的输出信号损耗和串扰。另外,缝槽型波导结构和MZI结构可以采用与CMOS兼容的微纳加工工艺实现,可以应用于滤波器、波分复用等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN108318968A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201810293462.5

  • 发明设计人 常丽敏;李智勇;刘磊;俞育德;

    申请日2018-04-03

  • 分类号G02B6/122(20060101);G02B6/125(20060101);G02B6/136(20060101);G02B6/12(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人谢海燕

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-06-19 06:00:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/122 申请日:20180403

    实质审查的生效

  • 2018-07-24

    公开

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