公开/公告号CN108281454A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州紫元科技有限公司;
申请/专利号CN201810082765.2
申请日2018-01-29
分类号H01L27/148(20060101);H01L31/107(20060101);
代理机构
代理人
地址 310000 浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心7号二层216室
入库时间 2023-06-19 05:55:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/148 申请日:20180129
实质审查的生效
2018-07-13
公开
公开
机译: 具有基于氧化锌的半导体层和基于氧化锌的绝缘层的薄膜晶体管的制造方法
机译: 具有SiNx薄膜和BN薄膜的多层纳米层压结构的半导体器件中的绝缘层及其形成方法
机译: 具有SiNx薄膜和BN薄膜的多层纳米层压结构的半导体器件中的绝缘层及其形成方法