碱金属卤化物掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种碱金属卤化物掺杂的钙钛矿发光二极管，包括衬底、空穴传输层、活性发光层、电子传输层、电极修饰层和电极，活性发光层的厚度为5‑100nm，活性发光层包括钙钛矿以及掺杂于其中的碱金属卤化物；钙钛矿的分子式为CsPbClxBr3‑x、CsPbBrxI3‑x、MAPbClxBr3‑x、MAPbBrxI3‑x、FAPbClxBr3‑x和FAPbBrxI3‑x中的一种或几种，其中，x＝0、1、2或3；碱金属卤化物为LiCl、NaCl、KCl、RbCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、LiI、NaI、KI和RbI中的一种或几种。本发明还提供了其制备方法：在衬底上形成空穴传输层或电子传输层；在空穴传输层或电子传输层上修饰含碱金属卤化物的钙钛矿前驱体溶液作为活性发光层；在活性发光层上方依次形成电子传输层、阴极修饰层和阴极或依次形成空穴传输层、阳极修饰层和阳极；封装。