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MOS器件SPICE局域失配模型

摘要

本发明公开了一种MOS器件SPICE局域失配模型,其中在某一参数的现有SPICE局域失配模型方程增加温度效应系数。温度效应系数tcoef采用下述计算;temper是模型中设定的仿真温度,ad是拟合系数。本发明通过在现有MOS器件SPICE局域失配模型中增加温度效应系数,将温度效应对MOS器件SPICE局域失配模型的影响充分考虑。本发明能准确的反映局域失配随着温度变化而产生的变化,使SPICE局域失配模型适配范围更广,能与实测数据具有更高的吻合度。

著录项

  • 公开/公告号CN108304672A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201810156796.8

  • 发明设计人 顾经纶;彭兴伟;王伟;

    申请日2018-02-24

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人焦天雷

  • 地址 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路568号

  • 入库时间 2023-06-19 05:53:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-14

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20180224

    实质审查的生效

  • 2018-07-20

    公开

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