氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化碳‑钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜及其制备方法，制备了二维层状类石墨相氮化碳(CNx)/透明半导体氧化物导电粉(TCO)的复合光催化薄膜。CNx/TCO两者复合不仅改善二维层状材料CNx易堆叠的不足，且通过掺杂手段调控TCO材料传输性能和能带结构，实现CNx/TCO复合薄膜中能带匹配和载流子传输性的优化。本发明在较佳的掺杂量和复合比例下，可协调光吸收，活性位点及载流子传输通道三种关系，在不影响光吸收性能前提下，提高光激发载流子的分离及分离后的迁移效率，提高氮化碳薄膜的光催化活性。