首页> 中国专利> 一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路

一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及驱动电路

摘要

本发明公开了一种SiC MOSFET的栅极串扰抑制电路及其驱动电路,所述栅极串扰抑制电路用于基于SiC MOSFET的桥式变换器中,连接于所述SiC MOSFET的栅极、源极以及所述SiC MOSFET驱动电路之间,并且包括基于三极管的负电压纹波抑制电路和基于MOS管的防直通电路;所述负电压纹波抑制电路用于抑制所述SiC MOSFET的栅极和源极之间的负电压,所述防直通电路用于防止所述桥式变换器的桥臂之间相互直通。

著录项

  • 公开/公告号CN108233684A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳青铜剑科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201810059420.5

  • 发明设计人 卞月娟;黄志平;黄辉;张小辉;

    申请日2018-01-22

  • 分类号H02M1/088(20060101);H02M1/38(20070101);

  • 代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐罗艳

  • 地址 518057 广东省深圳市高新区南区南环路29号留学生创业大厦二期22楼

  • 入库时间 2023-06-19 05:51:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-05-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H02M1/088 申请公布日:20180629 申请日:20180122

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2018-07-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/088 申请日:20180122

    实质审查的生效

  • 2018-06-29

    公开

    公开

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