非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器

摘要

本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅非中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，所述第一光栅和第二光栅的长度不同，第一光栅和第二光栅中邻近相移结构两侧的刻蚀深度小于远离相移结构两侧的刻蚀深度。本申请能实现光功率的非对称输出，提高了激光器的输出光功率；减小相移结构附近的折射率调制，有效减弱空间烧孔效应的影响，提高了激光器的单模稳定性。