采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的工艺方法，在形成集电极后，淀积第一层SiO2层，非选择性生长锗硅外延层；淀积SiO2/多晶硅/SiO2叠层；光刻和干法刻蚀所述SiO2/多晶硅/SiO2叠层；淀积第四层SiO2层，回刻形成侧墙；在有源区选择性生长单晶或多晶硅层，再淀积第五层SiO2层；淀积平坦化的有机介质层；多晶硅顶端的有机介质层和第五层SiO2层去除；将发射极窗口打开；回刻形成内侧墙；在发射极窗口内淀积重掺杂砷多晶硅，然后刻蚀发射极和基极多晶硅形成发射极和基极。本发明能够很简单地和现有的CMOS工艺集成，容易形成适合大规模量产的工艺流程。