掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Innovative architectures for advanced handset power amplifier performance
机译:
先进的手机功率放大器性能的创新架构
作者:
Wright Peter
;
Zhao Jun
;
Fei Louis
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
2.
A SiGe BiCMOS cascode power amplifier with monolithic SOI envelope modulators for high-efficiency envelope tracking
机译:
具有单片SOI包络调制器的SiGe BiCMOS级联功率放大器,用于高效的包络跟踪
作者:
Wu Ruili
;
Li Yan
;
Hu Weibo
;
Lopez Jerry
;
Lie Donald Y. C.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
3.
Dynamic electrothermal analysis of bipolar devices and circuits relying on multi-port positive fraction Foster representation
机译:
依靠多端口正分数Foster表示的双极型器件和电路的动态电热分析
作者:
dAlessandro V.
;
de Magistris M.
;
Magnani A.
;
Rinaldi N.
;
Russo S.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
4.
Modeling collector current noise PSD of SiGe HBTs including self-heating and non-quasi-static effects
机译:
SiGe HBT的集电极电流噪声PSD建模,包括自热和非准静态效应
作者:
Kumar Khamesh
;
Chakravorty Anjan
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
5.
Characteristics of GaAs spike doped collectors
机译:
GaAs尖峰掺杂集电极的特性
作者:
Zampardi P. J.
;
Kwok K.
;
Cismaru C.
;
Sun M.
;
Lo A.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
6.
An overview on the state-of-the-art of Carbon-based radio-frequency electronics
机译:
碳基射频电子技术的最新概述
作者:
Schroter M.
;
Claus M.
;
Sakalas P.
;
Wang D.
;
Haferlach M.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
7.
Extraction of the emitter related space charge weighting factor parameters of HICUM L2.30 using the Lambert W function
机译:
使用Lambert W函数提取HICUM L2.30的与发射器相关的空间电荷加权因子参数
作者:
Stein F.
;
Huszka Z.
;
Derrier N.
;
Maneux C.
;
Celi D.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
8.
Long-term reliability of high-performance SiGe:C heterojunction bipolar transistors
机译:
高性能SiGe:C异质结双极晶体管的长期可靠性
作者:
Fischer G. G.
;
Micusik D.
;
Pocej A.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
9.
47–77 GHz and 70–155 GHz LNAs in SiGe BiCMOS technologies
机译:
SiGe BiCMOS技术中的47–77 GHz和70–155 GHz LNA
作者:
Liu Gang
;
Schumacher Hermann
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
10.
A study of SiGe signal sources in the 220–330 GHz range
机译:
对220–330 GHz范围内的SiGe信号源的研究
作者:
Tomkins A.
;
Dacquay E.
;
Chevalier P.
;
Hasch J.
;
Chantre A.
;
Sautreuil B.
;
Voinigescu S. P.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
11.
A V-band Differential SiGe VCO with varactor-less tuning
机译:
具有无变容二极管调谐的V波段差分SiGe VCO
作者:
Zeinolabedinzadeh Saeed
;
Lourenco Nelson E.
;
Kamarei M.
;
Cressler John D.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
12.
HBT device robustness against process variations in millimeter-wave BiCMOS technology
机译:
HBT器件对毫米波BiCMOS技术中工艺变化的鲁棒性
作者:
Avenier G.
;
Chevalier P.
;
Montagne A.
;
Parmigiani L.
;
Berthier L.
;
Renault O.
;
Oghdayan E.
;
Mathieu M.
;
Campidelli Y.
;
Dutartre D.
;
Chantre A.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
13.
SFDR considerations for current steering high-speed digital to analog converters
机译:
电流转向高速数模转换器的SFDR注意事项
作者:
Khafaji Mahdi
;
Scheytt Christoph
;
Jorges Udo
;
Carta Corrado
;
Micusik Daniel
;
Ellinger Frank
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
14.
A circuit-based approach for the compensation of self-heating-induced timing errors in bipolar comparators
机译:
一种基于电路的方法来补偿双极比较器中自热引起的时序误差
作者:
Webb K. M.
;
Kalkur T. S.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
15.
High speed op amps: Performance, process and topologies
机译:
高速运算放大器:性能,过程和拓扑
作者:
Close JoAnn
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
16.
Low-cost, high-voltage SiGe:C HBTs for a 0.18 #x03BC;m BiCMOS Process
机译:
适用于0.18μmBiCMOS工艺的低成本高压SiGe:C HBT
作者:
Knoll D.
;
Dmitriev V.
;
Egorova T.
;
Seletskij V.
;
Shelepin N.
;
Barth R.
;
Fischer G. G.
;
Grabolla T.
;
Tillack B.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
17.
Extrinsic base resistance optimization in DPSA-SEG SiGe:C HBTs
机译:
DPSA-SEG SiGe:C HBT中的外在基极电阻优化
作者:
Canderle E.
;
Chevalier P.
;
Montagne A.
;
Moynet L.
;
Avenier G.
;
Boulenc P.
;
Buczko M.
;
Carminati Y.
;
Rosa J.
;
Gaquiere C.
;
Chantre A.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
18.
Co-integration of high-performance and high-breakdown SiGe HBTs in a BiCMOS technology
机译:
高性能和高故障率的SiGe HBT与BiCMOS技术的共集成
作者:
Pekarik John J.
;
Adkisson James W.
;
Camillo-Castillo Renata
;
Cheng Peng
;
DiVergilio Adam W.
;
Gray Peter B.
;
Jain Vibhor
;
Kaushal Vikas
;
Khater Marwan H.
;
Liu Qizhi
;
Harame David L.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
19.
Double-polysilicon self-aligned SiGe HBT architecture based on nonselective epitaxy and polysilicon reflow
机译:
基于非选择性外延和多晶硅回流的双多晶硅自对准SiGe HBT架构
作者:
Mertens H.
;
Magnee P. H. C.
;
Donkers J. J. T. M
;
van Dalen R.
;
Brunets I.
;
Van Huylenbroeck S.
;
Vleugels F.
;
Vanhoucke T.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
20.
A highly efficient watt-level SiGe BiCMOS power amplifier with envelope tracking for LTE applications
机译:
具有用于LTE应用的包络跟踪的高效瓦特级SiGe BiCMOS功率放大器
作者:
Wu Ruili
;
Li Yan
;
Lopez Jerry
;
Lie Donald Y. C.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
21.
Differential signal source chips at 150 GHz and 220 GHz in SiGe bipolar technologies based on Gilbert-Cell frequency doublers
机译:
基于Gilbert-Cell倍频器的SiGe双极技术中的150 GHz和220 GHz差分信号源芯片
作者:
Bredendiek Christian
;
Pohl Nils
;
Aufinger Klaus
;
Bilgic Attila
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
22.
Heterogeneous BiCMOS technologies and circuits and the DARPA Diverse Accessible Heterogeneous Integration (DAHI) program
机译:
异构BiCMOS技术和电路以及DARPA多样可访问异构集成(DAHI)程序
作者:
Raman Sanjay
;
Dohrman Carl L.
;
Chang Tsu-Hsi
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
23.
Considerations for forward active mode reliability in an advanced hetero-junction bipolar transistor
机译:
高级异质结双极晶体管中正向有源模式可靠性的注意事项
作者:
Kim Jonggook
;
Sadovnikov Alexei
;
Menz Philipp
;
Babcock Jeff
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
24.
MEMS module integration into SiGe BiCMOS technology for embedded system applications
机译:
MEMS模块集成到SiGe BiCMOS技术中,用于嵌入式系统应用
作者:
Kaynak Mehmet
;
Valenta Vaclav
;
Schumacher Hermann
;
Tillack Bernd
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
25.
A broadband 1.35THz GBP 120-mW common-collector feedback amplifier in SiGe technology
机译:
采用SiGe技术的宽带1.35THz GBP 120-mW共集电极反馈放大器
作者:
Gharib Ahmed
;
Fischer Georg
;
Weigel Robert
;
Kissinger Dietmar
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
26.
Characterization of mutual heating inside a SiGe ring oscillator
机译:
SiGe环形振荡器内部相互加热的特性
作者:
Weis Mario
;
Santorelli Marco
;
Ghosh Sudip
;
Chevalier Pascal
;
Chantre Alain
;
Sahoo Amit Kumar
;
Maneux Cristell
;
Zimmer Thomas
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
27.
Temperature and geometry dependence of the electrothermal instability of bipolar transistors
机译:
双极晶体管电热不稳定性的温度和几何形状依赖性
作者:
Scholten A. J.
;
Vanhoucke T.
;
Klaassen D. B. M.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
28.
Impact of the emitter stored charge on RF noise of junction bipolar transistors
机译:
发射极存储的电荷对结型双极晶体管RF噪声的影响
作者:
Vitale Francesco
;
van der Toorn Ramses
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
29.
Design and analysis of new silicided nano crystal dots field programmable ESD protection structures in BiCMOS
机译:
BiCMOS中新型硅化纳米晶点场可编程ESD保护结构的设计与分析
作者:
Ma Rui
;
Shi Zitao
;
Wang Xin
;
Liu Jian
;
Zhao Hui
;
Wang Li
;
Dong Zongyu
;
Zhang Chen
;
Lin Lin
;
Zhou Huimei
;
Wang Albert
;
Liu Jianlin
;
Zhao Bin
;
Cheng Yuhua
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
30.
Thin-film silicon technology for highly-efficient solar cells
机译:
用于高效太阳能电池的薄膜硅技术
作者:
van Swaaij Rene A. C. M. M.
;
Smets Arno H. M.
;
Zeman Miro
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
31.
Terahertz detector arrays in a high-performance SiGe HBT technology
机译:
高性能SiGe HBT技术的太赫兹探测器阵列
作者:
Hadi Richard Al
;
Grzyb Janusz
;
Heinemann Bernd
;
Pfeiffer Ullrich
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
32.
A low phase noise Colpitts VCO for Ku-band applications
机译:
适用于Ku频段的低相位噪声Colpitts VCO
作者:
Wang Yi
;
Leenaerts D.
;
van der Heijden E.
;
Mahmoudi R.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
33.
Living Chips and Chips for the living
机译:
生活用筹码和生活用筹码
作者:
Dekker R.
;
Braam S.
;
Henneken V.
;
van der Horst A.
;
Pakazad S. Khoshfetrat
;
Louwerse M.
;
van Meer B.
;
Mimoun B.
;
Savov A.
;
van de Stolpe A.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
34.
Best practices to ensure the stability of sige HBT cascode low noise amplifiers
机译:
确保sige HBT级联低噪声放大器稳定的最佳实践
作者:
Schmid Robert L.
;
Coen Christopher T.
;
Shankar Subramaniam
;
Cressler John D.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
35.
On-die self-healing of mixer image-rejection ratio for mixed-signal electronic systems
机译:
混合信号电子系统的混频器镜像抑制比的片上自我修复
作者:
Shankar Subramaniam
;
Saha Prabir
;
Howard Duane C.
;
Diestelhorst Ryan
;
England Troy D.
;
Cardoso Adilson S.
;
Cressler John D.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
36.
From the future to the mainstream, has GaAs reliability finally come of age?
机译:
从未来到主流,GaAs可靠性终于成熟了吗?
作者:
Roesch William J
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
37.
Systematic large-signal verification procedure for mm-wave SiGe bipolar transistors
机译:
毫米波SiGe双极晶体管的系统大信号验证程序
作者:
Essing J.
;
Leenaerts D.
;
Mahmoudi R.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
38.
Fast noise prediction for process optimization using only standard DC and S-parameter measurements
机译:
快速噪声预测,仅使用标准的DC和S参数测量即可进行过程优化
作者:
Gridelet E.
;
Scholten A. J.
;
Klaassen D. B. M.
;
van Dalen R.
;
Pijper R.
;
Magnee P. H. C
;
Tiemeijer L. F.
;
Dinh V. T.
;
Vanhoucke T.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
39.
State-of-the-art and future perspectives in calibration and de-embedding techniques for characterization of advanced SiGe HBTs featuring sub-THz fT/fMAX
机译:
表征亚太赫兹fT / fMAX的先进SiGe HBT的校准和去嵌入技术的最新发展和未来展望
作者:
Derrier N.
;
Rumiantsev A.
;
Celi D.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
40.
A novel Ccb and Rb reduction technique for high-speed SiGe HBTs
机译:
新型SiGe HBT的Ccb和Rb还原技术
作者:
Cheng Peng
;
Liu Qizhi
;
Camillo-Castillo Renata
;
Liedy Bob
;
Adkisson James
;
Pekarik John
;
Gray Peter
;
Kaszuba Philip
;
Moszkowicz Leon
;
Zetterlund Bjorn
;
Macha Keith
;
Tallman Kurt
;
Khater Marwan
;
Harame David
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
41.
Examination of Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) with double and single polysilicon region
机译:
带有双多晶硅区域和单多晶硅区域的水平电流双极晶体管(HCBT)的检查
作者:
Suligoj T.
;
Koricic M.
;
Mochizuki H.
;
Morita S.
;
Shinomura K.
;
Imai H.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
42.
A clock phase adjustment circuit for synchronizing multiple high-speed DEMUXs
机译:
时钟相位调整电路,用于同步多个高速DEMUX
作者:
Shringarpure Rahul
;
Baringer Cynthia D.
;
Hitko Don A.
;
Li James C.
;
Zehnder Daniel M.
;
Hussain Tahir
;
Matthews David S.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
43.
4 #x00D7; 24 Gb/s 2
7
— 1 PRBS generator using 1.8 V MOS-HBT quasi-CML logic
机译:
4×24 Gb / s 2
7 sup> — 1个使用1.8 V MOS-HBT准CML逻辑的PRBS发生器
作者:
Kozlov Victor
;
Park Paul
;
Voinigescu Sorin P.
会议名称:
《2012 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.》
|
2012年
意见反馈
回到顶部
回到首页