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一种硅电容多参量差压传感器及静压影响补偿方法

摘要

一种硅电容多参量差压传感器及静压影响补偿方法,在传感器压力腔内,设置硅电容差压敏感单元、压力敏感单元及温度敏感单元,改变硅电容差压传感器原单一的差压输出形式,实现单一传感器测量现场的多参数测量输出;同时后部处理电路利用压力单元及温度单元提供的测量现场的压力信号和温度信号的测量值,通过数字补偿对硅电容差压单元输出的差压输出参量进行静压和温度影响的补偿处理,有效消除静压、温度等附加误差。这种方法简便易操作,提高传感器的综合精度,成本低,大大提高了电容传感器的性价比,对硅电容传感器的批量生产极为有利。

著录项

  • 公开/公告号CN102168994B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 沈阳仪表科学研究院;

    申请/专利号CN201010610931.5

  • 申请日2010-12-29

  • 分类号G01D5/24(20060101);G01D3/036(20060101);

  • 代理机构21101 沈阳科威专利代理有限责任公司;

  • 代理人杨滨

  • 地址 110043 辽宁省沈阳市大东区北海街242号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:48

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-02-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01D 5/24 授权公告日:20130109 终止日期:20131229 申请日:20101229

    专利权的终止

  • 2013-01-09

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01D 5/24 申请日:20101229

    实质审查的生效

  • 2011-08-31

    公开

    公开

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