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采用ALD填隙间隔物掩模的自对准多重图案化处理流程

摘要

本发明涉及一种采用ALD填隙间隔物掩模的自对准多重图案化处理流程。本文描述了一种形成用于自对准多重图案化工艺的对称间隔物的方法和装置。方法包括通过原子层沉积在包括核心材料和目标层的图案化衬底上沉积填隙材料、平坦化衬底以及蚀刻核心材料以形成对称的间隔物。填隙材料可沉积持续时间不足以完全填充特征,使得特征被欠填充。

著录项

  • 公开/公告号CN108183071A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 朗姆研究公司;

    申请/专利号CN201711112653.9

  • 发明设计人 阿德里安·拉瓦伊;

    申请日2017-11-13

  • 分类号

  • 代理机构上海胜康律师事务所;

  • 代理人李献忠

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 05:44:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/311 申请日:20171113

    实质审查的生效

  • 2018-06-19

    公开

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