一种采用双面对准的硅LIGA掩模制作研究

摘要

深X射线光刻是制作高深宽比MEMS结构的一个重要方法.提出一种基于硅工艺和双面对准技术的LIGA掩模技术,工艺十分简单.采用该掩模,可进一步解决深X射线光刻中的重复对准多次曝光问题.给出了该掩模设计制作工艺过程及深X射线光刻结果.整个过程包括沉淀氮化硅、采用KarlSuss双面对准曝光机进行UV光刻、电化学淀积金吸收体、体硅腐蚀形成支撑膜等.利用该掩模在北京BEPC的X射线光刻光束线上进行曝光,获得了满意结果.