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半导体电极及其制造方法、和使用该半导体电极的光电池

摘要

本发明的目的在于提供一种发挥更优良的光电转换机能的光电池。本发明是包括半导体电极、电解质和对电极的光电池,其中,所述半导体电极包括具有光催化活性的氧化物半导体层;所述氧化物半导体层包括由金属氧化物构成的一次粒子凝集而成的具有凝集结构的粒子;所述一次粒子的平均粒径为1nm以上50nm以下,而且所述具有凝集结构的粒子的平均粒径为100nm以10μm以下;所述光电池通过对所述半导体电极使用与所述具有凝集结构的粒子的平均粒径实质上相同的波长的光进行照射以产生电动势。

著录项

  • 公开/公告号CN102064367B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN201010566924.X

  • 申请日2004-12-07

  • 分类号

  • 代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人龙淳

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-30

    授权

    授权

  • 2011-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 14/00 申请日:20041207

    实质审查的生效

  • 2011-05-18

    公开

    公开

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