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一种FeGa合金衬底的AlN薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于薄膜型声表面波传感器的制造领域,具体涉及一种FeGa合金衬底的AlN薄膜。该FeGa合金衬底的AlN薄膜由从下至上依次堆叠的FeGa合金层、缓冲层和AlN薄膜构成;缓冲层由与FeGa合金层接触的缓冲下层和与AlN薄膜接触的缓冲上层构成,FeGa合金层、缓冲下层、缓冲上层和AlN薄膜的热膨胀系数为依次递减的梯度关系。本发明在FeGa合金层与AlN薄膜之间设置了一层缓冲层,缓冲层的作用是让FeGa合金和AlN材料在热膨胀方面能够匹配。缓冲层的两种材料作为中间缓冲层,能够实现热膨胀阶梯型的变化以解决热适配问题。通过缓冲上层晶格的进一步选择,还可使AlN薄膜质量提升,进而更加符合磁声表面波传感器应用对高质量AlN薄膜的需求。

著录项

  • 公开/公告号CN108165928A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201711415633.9

  • 申请日2017-12-25

  • 分类号C23C14/06(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/35(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人闫树平

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-06-19 05:38:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20171225

    实质审查的生效

  • 2018-06-15

    公开

    公开

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