公开/公告号CN108165928A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN201711415633.9
申请日2017-12-25
分类号C23C14/06(20060101);C23C14/16(20060101);C23C14/02(20060101);C23C14/35(20060101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人闫树平
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 05:38:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20171225
实质审查的生效
2018-06-15
公开
公开
机译: 包含由相同的薄膜制备的复合衬底薄膜的半导体衬底的复合衬底薄膜的制备方法和背磨带
机译: 在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
机译: 在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法