在化学气相沉积系统和方法中改进热均匀性的工艺特定晶片载具校正

摘要

可基于根据化学气相沉积CVD系统的物理特性和操作特性建构的计算热模型来改进用于CVD系统的晶片载具的热均匀性。模拟在其中模型化待在所述CVD系统上实行的工艺配方的所述热模型的操作，包含在虚拟CVD系统中发生的热传递，以产生虚拟晶片载具的至少一个所关注区域中的一组热空间不均匀性。基于所述组热空间不均匀性和定义用于校正凹穴底面以达成遍及所述至少一个所关注区域的热均匀性增加的至少一个设计规则的预定义热凹穴底面关系来确定待对至少一个晶片保持凹穴中的每一个的所述凹穴底面作出的结构校正。