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用于双极存储器写入验证的方法和装置

摘要

公开了一种用于双极存储器器件的有利的写入验证操作。验证操作在与写入操作相同的偏置条件下执行。因此,该验证操作减少了在以与写入操作相反的偏置执行验证操作时引起的干扰状况。有利的写入验证操作可以利用源线和位线上的控制逻辑来执行。在另一实施例中,利用耦合到控制逻辑的多路复用器执行有利的写入操作。多路复用器根据程序锁存器中的数据确定是应该执行验证(0)还是验证(1)操作。此外,多路复用器可以基于寄存器位选择用于读取操作的偏置条件。微调电路可选地提供保护带并修改参考电压,用于以与正常读取操作相反的极性执行的验证操作。

著录项

  • 公开/公告号CN108140405A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-06-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 斯平转换技术公司;

    申请/专利号CN201680053000.5

  • 申请日2016-06-16

  • 分类号G11C11/16(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人高伟;刘爱平

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 05:35:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20160616

    实质审查的生效

  • 2018-06-08

    公开

    公开

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