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具有不对称芯片堆叠结构的半导体封装

摘要

具有不对称芯片堆叠结构的半导体封装。一种半导体封装,所述半导体封装可以包括第一芯片堆叠,所述第一芯片堆叠包括堆叠在封装基板上并且偏移以形成第一反向阶梯式侧壁的第一芯片。所述半导体封装可以包括第二芯片堆叠,所述第二芯片堆叠包括堆叠在所述封装基板上并且偏移以形成第二反向阶梯式侧壁的第二芯片。所述第一芯片堆叠的第一突出角部部可以朝向所述第二芯片堆叠突出。

著录项

  • 公开/公告号CN108022915A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 爱思开海力士有限公司;

    申请/专利号CN201710560038.8

  • 发明设计人 朴真敬;

    申请日2017-07-11

  • 分类号H01L25/065(20060101);H01L23/49(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉;刘久亮

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 05:21:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/065 申请日:20170711

    实质审查的生效

  • 2018-05-11

    公开

    公开

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