一种消除介质层针孔缺陷影响的方法

摘要

本发明属于微纳加工制造领域，更具体地，涉及一种消除介质层针孔缺陷影响的方法。本发明介质层位于第一金属层与第二金属层之间，其为第一金属层与第二金属层之间的电气绝缘层，通过在沉积第二金属层之前，将第一金属层连同表面沉积的介质层进行湿法刻蚀，刻蚀液通过介质层中的针孔缺陷进入第一金属层表面，发生第一金属层的各向同性刻蚀，使得第一金属层形成无金属区域，无金属区域的横向尺寸大于针孔缺陷的横向尺寸，纵向尺寸等于第一金属层的厚度，这样再沉积上层金属即第二金属层时就不会在两金属层之间形成导通，由此解决现有技术的介质层薄膜IMD中普遍存在的针孔缺陷带来的金属层间短路引起的良品率下降的技术问题。