可控反溶剂扩散法生长大尺寸甲胺溴铅晶体的方法及装置

摘要

本发明涉及可控反溶剂扩散法生长大尺寸甲胺溴铅晶体的方法及装置，采用可控反溶剂扩散方法，包括如下步骤：在CH3NH3PbBr3晶体生长过程中，将反溶剂蒸汽通入CH3NH3PbBr3溶液中，于20～55℃下进行晶体生长，即得大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体。本发明还提供生长该晶体的装置。本发明的方法有效的解决了这类化合物采用采用挥发法得不到大尺寸高质量晶体的问题，以及传统降温法使用酸溶液，对设备腐蚀性大，和生长周期长等问题。本发明能更容易得到高质量、大尺寸晶体，晶体尺寸可达50×50×20mm3。