薄膜晶体管阵列基板、低温多晶硅薄膜晶体管及制造方法

摘要

提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括衬底(10)、设于衬底(10)表面的多晶硅层(11)、绝缘层(12)、栅极(13)、第一控制电极(14)、第二控制电极(15)、源极(16)及漏极(17)，绝缘层(12)覆盖多晶硅层(11)，第一控制电极(14)、第二控制电极(15)及栅极(13)设于绝缘层(12)上，且第一控制电极(14)、第二控制电极(15)与栅极(13)之间有间距，间距位置对应多晶硅层(11)的偏移区(111)，第一控制电极(14)及第二控制电极(15)远离所述偏移区(111)的一侧的多晶硅层(11)设有重掺杂区域(112)，在两个重掺杂区域(112)上分别形成源极(16)与漏极(17)。还提供一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。