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一种考虑高频涡流效应的绕组损耗半解析计算方法

摘要

本发明属于电感器设计领域,特别涉及考虑高频涡流效应的绕组损耗的半解析计算方法。包括:得出处于均匀时谐磁场中单根孤立圆形导线的复磁导率表达式;计算多匝圆形导线线圈的均质化的复磁导率;通过引入与趋肤效应对应的阻抗,计及考虑趋肤效应的影响;建立二维有限元模型,计算空间区域的磁场强度,得到导线区域和空气区域的磁场强度;结合静磁场有限元仿真得到的导线区域和空气区域的磁场强度,计算导体区域和空气区域储存的总磁场能量涡流损耗;计算多匝导线区域的涡流损耗,将趋肤效应涡流损耗和邻近效应损耗进行求和,得到绕组区域的总损耗。本发明方法能应用于多匝圆形导线线圈的绕组损耗的确定,有效减少计算工作量,有利于工程应用。

著录项

  • 公开/公告号CN107977485A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华北电力大学;

    申请/专利号CN201711058213.X

  • 发明设计人 李琳;陈彬;

    申请日2017-11-01

  • 分类号G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈波

  • 地址 102206 北京市昌平区朱辛庄北农路2号

  • 入库时间 2023-06-19 05:12:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20171101

    实质审查的生效

  • 2018-05-01

    公开

    公开

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