一种FPGA中使用双端口RAM实现多端口存储单元的电路

摘要

本发明属于集成电路技术领域，涉及一种FPGA中使用双端口RAM实现多端口存储单元的电路，所述电路包含FPGA中的双端口存储资源Block RAM和多端口转双端口的逻辑；其中所述逻辑内部采用三倍频外部时钟，实现一个外部时钟周期内可接受多个读写端口访问存储单元的要求。本发明可以同时执行多个端口发起的读写请求，从设计上保证了读写数据的建立保持时间。