一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法

摘要

本发明提供一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的正面和背面；对所述半导体衬底背面进行减薄处理；去除所述半导体衬底背面表面的微裂纹层；湿法刻蚀处理所述半导体衬底的背面；在所述半导体衬底背面上形成背面金属电极。采用本发明的方法，可以降低半导体衬底和背面金属层之间的接触电阻，进而降低饱和压降值，提高其饱和压降性能。