一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种近红外增强型硅基四象限光电探测器及其制备方法。本发明的四象限光电探测器的由4个完全相同的上下表面都具有锥形微结构的PIN结构单元组成，PIN结构包括作为I型层的本征硅衬底，上表面具有锥形微结构的P型层，下表面具有锥形微结构的N型层；上下表面锥形微结构可以非常有效地提高PIN结构对近红外光的吸收，因而本发明所述的四象限光电探测器克服了传统硅探测器近红外响应弱的缺点，具有较高的近红外光电响应，满足激光定位、跟踪等众多领域对硅基近红外光电探测器件的需求。