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一种具有优异超电容性能的氮氯共掺杂层次孔碳的制备方法

摘要

一种具有优异超电容性能的氮氯共掺杂层次孔碳的制备方法,利用含有氮元素的金属/半金属碳氮化物作为反应前驱体,在一定温度下基于氯原子与前驱体中的金属或半金属原子的化学反应使得原晶体结构被破坏并完成碳原子重组,在保留前驱体一定量氮原子的前提下引入氯原子到碳晶格中,最后通过去除生成的反应副产物——金属或半金属氯化物,在碳化物衍生碳中保留大量的不同尺寸的孔,进而一步实现异质原子的引入和层次孔结构的构建。本发明相对于其他的制备方法步骤简单,并可以快速地获得具有高氮氯含量的层次孔碳。

著录项

  • 公开/公告号CN107986255A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西南交通大学;

    申请/专利号CN201711210677.8

  • 申请日2017-11-28

  • 分类号

  • 代理机构成都盈信专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张澎

  • 地址 610031 四川省成都市高新西区西部园区西南交通大学科学技术发展研究院

  • 入库时间 2023-06-19 05:10:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B32/05 申请日:20171128

    实质审查的生效

  • 2018-05-04

    公开

    公开

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