首页> 中国专利> 一种改善IGZO薄膜晶体管的稳定性的方法

一种改善IGZO薄膜晶体管的稳定性的方法

摘要

本发明提供一种改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法,该方法包括下述步骤:在基板上形成IGZO薄膜晶体管;在IGZO薄膜晶体管上形成钝化层;对钝化层进行疏水化处理,在钝化层上形成疏水基团。本发明提供的改善IGZO薄膜晶体管稳定性的方法,可以改善IGZO薄膜晶体管上钝化层阻挡水汽的效果,解决IGZO薄膜晶体管的阈值电压负向漂移的问题,避免阈值电压严重偏负,而导致IGZO薄膜晶体管失效。

著录项

  • 公开/公告号CN107946199A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201711139924.X

  • 发明设计人 石龙强;

    申请日2017-11-16

  • 分类号

  • 代理机构深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人潘中毅

  • 地址 518000 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

  • 入库时间 2023-06-19 05:05:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/56 申请公布日:20180420 申请日:20171116

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/56 申请日:20171116

    实质审查的生效

  • 2018-04-20

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号