SiGe材料CMOS器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种SiGe材料CMOS器件及其制备方法，该制备方法包括：选取单晶Si衬底；制备Si1‑xGex/Si虚衬底；在所述Si1‑xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1‑xGex沟道层；分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的制备。本发明提供的CMOS器件与传统Si基CMOS器件相比，具有载流子迁移率高，器件工作速度高，频率特性好，器件界面特性好等优点，从而能大大提高集成电路的工作频率，减小集成电路器件的物理尺寸，进而减小集成电路的面积等优点。