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电子电路组件中埋置的电容器的制造方法及电子电路组件

摘要

一种电子电路组件中埋置的电容器的制造方法,包括下列步骤:选择第一导电薄片;选择介电材料;将介电材料被覆到第一导电薄片的至少一面上;再将被覆过的薄片连同第二导电薄片分层堆制在介电材料的被覆层上面。本发明还涉及装有至少一个按本发明制取的埋置式电容器的电子电路组件。

著录项

  • 公开/公告号CN1105484C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN97113438.3

  • 发明设计人 J·M·劳弗;K·帕帕托马斯;

    申请日1997-05-22

  • 分类号H05K1/16;H05K3/36;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人王忠忠;张志醒

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2022-08-23 08:56:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-23

    专利权有效期届满 IPC(主分类):H05K 1/16 授权公告日:20030409 申请日:19970522

    专利权的终止

  • 2003-04-09

    授权

    授权

  • 1998-02-18

    公开

    公开

  • 1998-01-28

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

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