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制备导电薄膜的方法

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本发明公开了一种制备导电薄膜的方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤一种制备导电薄膜的方法，包括以下步骤：A．沉积金属铜层：在洁净、干燥的玻璃板上沉积5‑10nm的金属铜层；B．沉积石墨烯层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为40～50μm；所述CVD法沉积过程中，碳源为甲烷，气体为体积比为2～5:1的H

著录项

公开/公告号CN107863200A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-03-30

原文格式PDF
申请/专利权人成都天航智虹知识产权运营管理有限公司;
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申请/专利号CN201711020461.5
发明设计人王红丽;
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申请日2017-10-27
分类号
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙);
代理人史姣姣
地址 610094 四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府二街368号2栋1单元12楼1201号
入库时间 2023-06-19 04:58:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-17

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01B13/00 申请公布日:20180330 申请日:20171027

发明专利申请公布后的驳回
2018-04-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01B13/00 申请日:20171027

实质审查的生效
2018-03-30

公开

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