硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件

摘要

本发明涉及一种硅铝氧氮陶瓷烧结体、其制法、复合基板及电子器件。本发明的硅铝氧氮陶瓷烧结体由Si6‑zAlzOzN8‑z(0＜z≤4.2)表示，开口气孔率为0.1％以下，相对密度为99.9％以上，且X射线衍射图中，硅铝氧氮陶瓷以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于硅铝氧氮陶瓷的最大峰的强度的比值为0.005以下。