一种单芯片半桥IGBT功率模块的热网络模型

摘要

本发明公开了一种单芯片半桥IGBT功率模块的热网络模型。该模型包括IGBT结‑壳热阻，IGBT壳‑散热器热阻，Diode结‑壳热阻，Diode壳‑散热器热阻，单个桥臂的散热器‑环境热阻，表示IGBT功率损耗的电流源，表示Diode的功率损耗的电流源，表示环境温度的电压源。单个桥臂内的IGBT与Diode的壳温节点之间存在耦合热阻支路，上下桥臂Diode壳温节点之间存在耦合热阻，上下桥臂对应的散热器温度节点之间存在耦合热阻，热网络模型中的上下桥臂完全对称。其中，单个桥臂内的IGBT与Diode的壳温节点之间存在的耦合热阻支路由热阻串联理想二极管支路以及热阻串联理想二极管支路组成。本发明的热网络耦合模型能够更加精确的预测功率模块在一定损耗下的结温，以更加精准的预测功率模块的寿命。