一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法

摘要

本发明公开一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法。其特点是以高纯Al2O3粉（Al2O3含量>99.95%）为主料加上Ta2O5掺杂剂（每100gAl2O3粉体原料中Ta2O5的掺杂量为0.5‑1.0g），球磨混和后利用干压成型制得素坯，然后放入电炉中，1550‑1650℃烧结2‑4h，即可得到致密Al2O3陶瓷。这种Al2O3陶瓷具有优良的微波介电性能，其介电常数为9.80‑9.85，而Q×f值可达184000‑209000GHz。经紫外灯直接辐照一段时间后，其介电常数和Q×f值都基本保持不变。本发明工艺简单，生产流程短，适合规模化生产。