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表面等离子体性能可调的基底及制备方法

摘要

本发明涉及一种表面等离子体性能可调的基底及制备方法,该基底包括一个PDMS基片,PDMS基片上沉积贵金属膜层;该制备方法:以AAO为模板,将表面结构转移至PDMS基片上,使PDMS基片带有纳米柱阵列结构表面;在制作的PDMS基片表面沉积贵金属膜层;对制作后的基底进行拉伸:将制作后的贵金属PDMS基底平整的放置于一维平移拉伸夹中,基底一端固定,另一端夹在可移动平台上,基底可沿移动平台移动方向在PDMS弹性范围内进行拉伸;对拉伸后的基底进行检测:拉伸后的基底表面等离子体吸收峰出现蓝移,吸收强度减弱。表明该基底实现了表面等离子体性能可调。本发明的基底制作工艺简单高效,基底灵敏性好、可控性高,工艺周期短。

著录项

  • 公开/公告号CN107703105A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海理工大学;

    申请/专利号CN201711043664.6

  • 申请日2017-10-31

  • 分类号G01N21/552(20140101);

  • 代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人吴宝根;王晶

  • 地址 200093 上海市杨浦区军工路516号

  • 入库时间 2023-06-19 04:35:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/552 申请日:20171031

    实质审查的生效

  • 2018-02-16

    公开

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