一种改善MIS‑HEMT耐压特性的工艺方法及MIS‑HEMT

摘要

一种改善MIS‑HEMT耐压特性的工艺方法及MIS‑HEMT，所述工艺方法包括以下步骤：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；制备栅极窗口；沉积栅介质层和栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；在器件表面制备场板隔离介质层；在场板隔离介质层表面制备场板；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。本发明通过在栅极和漏极之间引入场板，改道沟道中电场分布，降低栅极和漏极之间的峰值电场，从而达到改善和提升MIS‑HEMT耐压的目的。