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碳化硅半导体基板、碳化硅半导体基板的制造方法、半导体装置及半导体装置的制造方法

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碳化硅半导体基板包括：n

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公开/公告号CN107636808A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-26

原文格式PDF
申请/专利权人富士电机株式会社;
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申请/专利号CN201680030936.6
发明设计人俵武志;
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申请日2016-12-15
分类号
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人金玉兰
地址日本神奈川县川崎市
入库时间 2023-06-19 04:23:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/329 申请日:20161215

实质审查的生效
2018-01-26

公开

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