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用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法

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摘要

本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L43/12 申请公布日:20180119 申请日:20121016

发明专利申请公布后的视为撤回
2018-02-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20121016

实质审查的生效
2018-01-19

公开

公开

1. 用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的方法 [P] . 中国专利： CN107611258A . 2018-01-19
2. 用于氧化硅化学气相沉积光刻胶平坦化的设备和方法 [P] . 中国专利： CN103959380A . 2014-07-30
3. Integrated high density plasma chemical vapor deposition (HDP-CVD) method and chemical mechanical polish (CMP) planarizing method for forming patterned planarized aperture fill layers [P] . 美国专利： US6365523B1 . 2002-04-02

机译：集成的高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）方法和化学机械抛光（CMP）平坦化方法，用于形成图案化的平坦化孔径填充层
4. Method for chemical mechanical planarization of a metal layer located over a photoresist layer and a method for manufacturing a micro pixel array using the same [P] . 美国专利： US2007066063A1 . 2007-03-22

机译：用于化学机械平坦化位于光刻胶层上方的金属层的方法以及使用该方法制造微像素阵列的方法
5. Reverse planarization PE-oxide film formation method to improve thickness planarization after oxide chemical mechanical polishing process [P] . 韩国专利： KR19980015755A . 1998-05-25

机译：反向平坦化pe-氧化物膜形成方法以改善氧化物化学机械抛光工艺后的厚度平坦化