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一种堆栈式薄膜晶体管电极的喷墨打印制备方法

摘要

本发明公开了一种堆栈式薄膜晶体管电极的喷墨打印制备方法。该方法包括以下步骤:(1)基底的预处理:将基底清洗、烘干,备用;(2)栅极的沉积:在预处理后的基底上通过真空磁控溅射图形化制备栅极;(3)绝缘层的沉积:在沉积的栅极表面通过阳极氧化沉积绝缘层;(4)有源层的沉积:在沉积的绝缘层表面通过真空磁控溅射图形化制备有源层;(5)源漏电极的制备:在沉积的有源层表面通过喷墨打印图形化制备源漏电极,得到所述堆栈式薄膜晶体管电极。本发明方法采用喷墨打印方式制备源漏电极,制备得到薄膜晶体管电极,大大节约了生产成本,同时解决了打印电极的引出线时在跨越TFT器件台阶时产生的墨水流散和团聚问题。

著录项

  • 公开/公告号CN107611025A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201710765899.X

  • 申请日2017-08-30

  • 分类号H01L21/285(20060101);H01L21/288(20060101);H01L21/34(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人何淑珍

  • 地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2023-06-19 04:23:19

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20170830

    实质审查的生效

  • 2018-01-19

    公开

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