cqvip:近年来,随着高密度、低能耗的电子器件迅速发展,对薄膜晶体管(TFT)器件的电极结构设计提出了更高的要求.其中,圆形电极结构不仅可减少在TFT器件中所占版图面积,而且又能较好地解决传统不闭环结构电极中央与端部之间机械和电学行为不同的问题,成为了未来微型显示驱动领域的研究热点.此外,传统薄膜晶体管电极的制备需要通过掩膜版光刻来形成图案化的电极,这不仅导致步骤数量增加而且图案化电极性能直接受到刻蚀剂等废液的影响.而喷墨打印工艺具备独特的非接触式加工方式、受环境影响小和高效率等优点,可打印较为复杂的结构,受到TFT器件制备领域研究人员的广泛关注.本文结合上述两者的优点,采用喷墨打印的方式制备圆形电极,并研究了改变圆形电极沟道宽度对所制备TFT器件电学性能的影响.结果表明,适当减小圆形电极的沟道宽度可有效提升TFT器件性能,当同心圆型沟道宽度为50μm时,所制备的TFT器件性能较好,开关比可达4.3×10~5,阈值电压为4 V.
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