一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法

摘要

一种IV族元素离子的离子注入工艺的监测方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底；根据预设的第一离子注入参数，向所述半导体衬底内进行载流子离子注入，以形成载流子掺杂区；按照预设的第二离子注入参数，向所述载流子掺杂区进行IV族元素离子的离子注入，以形成混合掺杂区；对所述混合掺杂区的电阻率进行测量；根据所述混合掺杂区的电阻率，确定所述IV族元素离子的离子注入工艺是否发生异常。本发明方案可以采用电阻率测量方法确定是否发生IV族元素离子注入工艺异常。