用于创建延伸到晶体管的有栅极区域中的缓冲部的设备和方法

摘要

晶体管器件可以被形成为具有处于有源沟道和衬底之间的缓冲部，其中，所述缓冲部的一部分和所述有源沟道形成了有栅极区域。有源沟道可以包括处于有源沟道和衬底之间的子结构(例如，缓冲部)上的低带隙材料。所述子结构可以包括高带隙材料，所述材料具有期望的导带偏移，以使得在不对有源沟道内的电子迁移率造成显著影响的情况下抑制泄漏。在实施例中，可以将所述有源沟道和所述子结构形成在窄沟槽中，以使得由于有源沟道和子结构之间的晶格失配所引起的缺陷被终止于所述子结构中。