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用于静态随机存取存储器(SRAM)的老化传感器

摘要

本发明揭示一种静态随机存取存储器SRAM,其包含第一位单元及第二位单元。所述第一位单元包含老化的晶体管且所述第二位单元包含未老化的晶体管。老化传感器耦合于所述第一位单元与所述第二位单元之间以确定与所述老化的晶体管相关联的老化量。在一个方面中,基于和所述老化的晶体管相关联的电压或电流与和所述未老化的晶体管相关联的电压或电流之间的差而确定与所述老化的晶体管相关联的所述老化量。

著录项

  • 公开/公告号CN107533861A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201680025900.9

  • 发明设计人 V·纳拉亚南;A·D·帕克;

    申请日2016-05-02

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人杨林勳

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 04:12:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/417 申请日:20160502

    实质审查的生效

  • 2018-01-02

    公开

    公开

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