透明基材薄膜层叠体、触摸面板用传感器薄膜、触摸面板、图像显示装置及图像显示装置的可见性改善方法

摘要

本发明提供一种透明基材薄膜层叠体；触摸面板用传感器薄膜；触摸面板；图像显示装置及图像显示装置的可见性改善方法。所述透明基材薄膜层叠体配置于具有背光光源和偏振片的图像显示装置的偏振片的可见侧来使用，具有第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜，并且以使第一透明基材薄膜的Re成为4000nm以上、第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为45°±20°、第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用，第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角为除0°及90°以外的角，相对于第一透明基材薄膜，第二透明基材薄膜配置于可见侧来使用。

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明基材薄膜层叠体、触摸面板用传感器薄膜、触摸面板、图像显示装置及图像显示装置的可见性改善方法。更详细而言，涉及一种能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光(blackout)的产生的透明基材薄膜层叠体、触摸面板用传感器薄膜、触摸面板、图像显示装置及图像显示装置的可见性改善方法。

背景技术

触摸面板一般具有在液晶显示装置(Liquid Crystal Device；LCD)等图像显示装置的图像显示部的可见侧配置压敏式或静电电容式传感器和用于容易用手指触摸的前面板的结构。LCD通过使由外光、前光(front light)、背光等光源产生的光透射由2片偏振片夹住液晶单元的液晶面板或将其遮挡而进行显示。作为背光光源，一般使用冷阴极管或热阴极管等荧光管。冷阴极管或热阴极管等荧光灯的分光分布示出具有多个峰的发光光谱，这些不连续的发光光谱相结合而得到白色系光源。另一方面，从节能化的观点考虑，正在研究利用耗电少的发光二极管。尤其，白色发光二极管(白色light emitting diode；LED)相比荧光管具有连续且宽幅的发光光谱，并且发光效率优异。

近年来，在触摸面板中要求抑制彩虹状不均匀及佩戴偏光太阳镜时的遮光。

例如，当使用薄膜作为液晶显示装置用的触摸面板用传感器的透明树脂基材时，尤其在斜向观察显示画面时，在液晶显示装置中产生颜色不同的不均匀(也称为“彩虹状不均匀”)，导致液晶显示装置的显示品质受损。该现象起因于薄膜基材的双折射。

并且，例如，在阳光强烈的室外等环境下，为了消除其炫光，有时以佩戴具有偏振特性的太阳镜的状态，对触摸面板的LCD的图像显示部进行视觉辨认。在该情况下，观察者透过偏振片视觉辨认从LCD射出的具有直线偏振光的光，因此根据内装于LCD中的偏振片的吸收轴与太阳镜等的偏振片的吸收轴所成的角度，发生画面变暗或无法观察的现象(遮光)。

针对于此，已知有通过使用薄膜面内的延迟Re较高的薄膜来抑制彩虹状不均匀和/或佩戴偏光太阳镜时的遮光的方法(参考专利文献1及2)。

专利文献1中记载有液晶显示装置的可见性改善方法，在至少具有背光光源、液晶单元及配置于液晶单元的可见侧的偏振片的液晶显示装置中，使用白色发光二极管作为背光光源，并且在偏振片的可见侧以使偏振片的吸收轴与高分子薄膜的慢轴所成的角大致成为45°的方式配置具有3000～30000nm的延迟的高分子薄膜来使用。

专利文献2中记载有触摸面板用传感器薄膜，在将多个透明树脂基材层叠而成的多层透明树脂基材上或在该多层透明树脂基材的层之间层叠导电图案层而成的触摸面板用传感器薄膜中，透明树脂基材在触摸面板用传感器薄膜整体中具有3000nm以上的延迟，并且以相对于配置于配置触摸面板用传感器薄膜的液晶面板的出射面上的偏振片的吸收轴，在面内折射率最大的方向即慢轴方向成45±10°的角度的方式配置。

专利文献1或2的结构中，如专利文献2所记载，通过将具有一定程度较高的延迟的聚酯薄膜适用于透明树脂基材来防止彩虹状不均匀。并且，通过以使慢轴成45±10°的角度的方式配置透明树脂基材，能够有效地利用防止彩虹状不均匀的光学特性，在触摸面板用传感器薄膜整体中，使直线偏振光的入射光通过具与其正交的直线偏振光成分的光而出射，由此防止使用偏光太阳镜时的遮光。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-107198号公报

专利文献2：日本特开2014-016590号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

如专利文献2所记载，触摸面板中，例如静电电容式触摸面板中，为了将抑制彩虹状不均匀及遮光的部件和透明导电性薄膜设为一体来减少组件件数，透明导电性薄膜等的功能层的支撑体中使用高延迟的薄膜在结构上是较佳的。

本发明人等利用专利文献1或2中所记载的方法，对静电电容式触摸面板的制造进行了研究，其结果，触摸面板中所使用的偏振片的吸收轴相对于触摸面板的图像显示部的各边，通常为纵向(如触摸面板搭载型个人计算机那样，垂直竖立而使用触摸面板时是指垂直方向)和/或平行方向的情况较多。因此，得知为了以沿从偏振片的吸收轴倾斜45°的方位将透明导电性薄膜的慢轴对齐的方式进行配置，透明导电性薄膜必然需要相对于长条状的薄膜的边倾斜45°而切出成触摸面板的形状(通常为四边形状)并进行贴合。透明导电性薄膜等设置有功能层的薄膜的价格非常高，因此得知若相对于长条状的薄膜的边倾斜成45°而切出或冲孔，则切出或冲孔时生产损失非常大，即使考虑到由减少组件件数而产生的效率化，总体上也无法与生产成本相抵。

本发明所要解决的课题在于提供一种能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生的透明基材薄膜层叠体。

用于解决技术课题的手段

本发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究。其结果发现，即使在不减少组件件数而使用在与高延迟薄膜不同的支撑体上形成有导电层的透明导电性薄膜的情况下，仅通过层叠以相对于在不同的支撑体上形成有导电层的透明导电性薄膜的边平行及垂直的四边形状切出的部件及高延迟薄膜，无法抑制彩虹状不均匀的产生和遮光的产生。即，发现仅通过层叠这2个薄膜，无法抑制彩虹状不均匀的产生和遮光的产生。

因此，本发明人等进一步进行研究，其结果，得知通过相对于偏振片的吸收轴倾斜约45°而使用Re较大至能够消除彩虹状不均匀和遮光的程度的第一透明基材薄膜，从偏振片射出的光的偏振得以解除，从而成为能够抑制彩虹状不均匀和遮光的偏振状态。将其称为第一阶段的偏振消除。在该第一阶段的偏振消除中，可以在一定程度上抑制彩虹状不均匀和遮光。

然而，得知若将与Re较大的第一透明基材薄膜不同的任意的第二透明基材薄膜(导电层等功能层的支撑体)配置于比第一透明基材薄膜更靠背光侧，则起因于第二透明基材薄膜而产生彩虹状不均匀和遮光。得知一旦产生了彩虹状不均匀和遮光的成为偏振状态的光即使透过Re次高的第一透明基材薄膜，也无法抑制彩虹状不均匀和遮光的产生。

并且，得知即使将任意的第二透明基材薄膜(导电层等功能层的支撑体)配置于比第一透明基材薄膜更靠可见侧，在相互的慢轴彼此一致，或者慢轴与快轴一致，或者相互的慢轴彼此所成的角度过小或过大的情况下，若透过第一透明基材薄膜而进行了第一阶段的偏振消除的光接着通过第二透明基材薄膜，则均再次产生彩虹状不均匀和/或遮光。

并且，即使在使用Re未大至能够解除彩虹状不均匀和遮光的程度的第一透明基材薄膜作为第一透明基材薄膜的情况下，也起因于第一透明基材薄膜而产生彩虹状不均匀和遮光，一旦产生的彩虹状不均匀和遮光即使透过以对齐慢轴的角度的方式配置于可见侧的第二透明基材薄膜也无法消除。

根据以上研究，本发明人等发现，通过将与Re大至能够解除彩虹状不均匀和遮光的程度的第一透明基材薄膜不同的第二透明基材薄膜相对于第一透明基材薄膜进一步将相互的慢轴彼此倾斜约45°且配置于可见侧，透过第一透明基材薄膜而进行了第一阶段的偏振消除的光的偏振程度向能够进一步抑制(可进一步消除)彩虹状不均匀和遮光的方向变化。将其称为第二阶段的偏振消除。还发现在该第二阶段的偏振消除中可保持彩虹状不均匀和遮光的解消，并解决上述课题而完成了本发明。

作为用于实现上述课题的具体方法的本发明如下。

[1]一种透明基材薄膜层叠体，其配置于图像显示装置的偏振片的可见侧来使用，所述图像显示装置至少具有背光光源和配置于背光光源的可见侧的偏振片，

透明基材薄膜层叠体至少具有第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜，

第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re为4000nm以上，

以使第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为45°±20°的方式配置来使用，

以使第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用，

第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角为除0°及90°以外的角，

相对于第一透明基材薄膜，第二透明基材薄膜配置于可见侧来使用。

[2]根据[1]所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re大于0nm，且小于第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re。

[3]根据[1]或[2]所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re相对于薄膜厚度方向的延迟Rth之比Re/Rth为0.5以上。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的薄膜厚度方向的延迟Rth为20000nm以下。

[5]根据[1]至[4]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜中至少1个为聚酯薄膜。

[6]根据[1]至[5]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜为单轴取向聚酯薄膜。

[7]根据[1]至[6]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜为双轴取向聚酯薄膜。

[8]根据[1]至[7]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜的厚度为40μm以上。

[9]根据[1]至[8]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的厚度为80μm以下，且薄于第一透明基材薄膜的厚度。

[10]根据[1]至[9]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选图像显示装置在背光光源与偏振片之间具有液晶单元。

[11]根据[1]至[10]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜为形成有导电层的导电性薄膜。

[12]根据[11]所述的透明基材薄膜层叠体中，优选导电层包含多个金属细线。

[13]优选[12]所述的金属细线被配置成网格状。

[14]优选[12]所述的金属细线被不规则地配置。

[15]根据[12]至[14]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选金属细线包含银或含银的合金。

[16]根据[12]至[14]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选金属细线包含铜或含铜的合金。

[17]根据[11]所述的透明基材薄膜层叠体中，优选导电层包含氧化物。

[18]根据[17]所述的透明基材薄膜层叠体中，优选氧化物包含含有氧化锡的氧化铟或含有锑的氧化锡。

[19]根据[1]至[18]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜经由粘结材料而层叠。

[20]根据[1]至[19]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选背光光源为荧光体方式的白色发光二极管。

[21]根据[1]至[20]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选透明基材薄膜层叠体为四边形状，且以使透明基材薄膜层叠体的各边与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用。

[22]根据[1]至[21]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体中，优选透明基材薄膜层叠体为四边形状，且透明基材薄膜层叠体的各边与第二透明基材薄膜的慢轴所成的角为90°±30°或0°±30°。

[23]一种触摸面板用传感器薄膜，其包含[1]至[22]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体。

[24]一种触摸面板，其具备[1]至[22]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体。

[25]一种图像显示装置，其具备[1]至[22]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体。

[26]一种图像显示装置的可见性改善方法，所示图像显示装置至少具有背光光源和配置于背光光源的可见侧的偏振片，该方法中，

将[1]至[22]中任一项所述的透明基材薄膜层叠体配置于偏振片的可见侧，

透明基材薄膜层叠体至少具有第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜，

第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re为4000nm以上，

以使第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为45°±20°的方式进行配置，

以使第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式进行配置，

第一透明基材薄膜的慢轴与第二透明基材薄膜的慢轴所成的角不是0°或90°，

相对于第一透明基材薄膜，将第二透明基材薄膜配置于可见侧。

发明效果

根据本发明的结构，能够提供一种能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生的透明基材薄膜层叠体。

附图说明

图1是本发明的图像显示装置的一例中的剖面的概略图。

图2是说明本发明的图像显示装置的一例中的偏振片、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的层叠顺序的图。

图3是说明本发明的图像显示装置的一例中的透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角的关系的图。

具体实施方式

以下对本发明进行详细说明。以下所记载的结构要件的说明有时基于代表性实施方式或具体例而进行，但本发明并不限定于这种实施方式。另外，本说明书中，用“～”表示的数值范围是指将“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。

并且，在后面详细叙述透明基材薄膜的制造方法，第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜通常优选通过使用辊等输送并进行拉伸而得到。此时，将薄膜的输送方向也称为MD(Machine Direction：机器方向)方向。并且，薄膜的MD方向也称为薄膜的长度方向。并且，所谓薄膜宽度方向为与长度方向正交的方向。在一边输送薄膜一边制造出的薄膜中，薄膜宽度方向也称为TD(Transverse Direction：横向)方向。

透明基材薄膜层叠体、第一透明基材薄膜、第二透明基材薄膜、透明导电层等“透明”是指利用JIS-K-7361中所记载的方法测定出的透射率为60％以上。第一透明基材薄膜的透射率更优选为80％以上，尤其优选为85％以上。当第二透明基材薄膜具有导电层时，透明基材薄膜层叠体、第二透明基材薄膜及透明导电层的可见光透射率有时主要由导电层的透射率来决定。导电层的透射率更优选为70％以上，尤其优选为75％以上。

[透明基材薄膜层叠体]

本发明的透明基材薄膜层叠体为如下透明基材薄膜层叠体，其配置于图像显示装置的偏振片的可见侧来使用，所述图像显示装置至少具有背光光源和配置于背光光源的可见侧的偏振片，

透明基材薄膜层叠体至少具有第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜，

第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re为4000nm以上，

以使第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为45°±20°的方式配置来使用，

以使第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用，

第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角为除0°及90°以外的角，

相对于第一透明基材薄膜，将第二透明基材薄膜配置于可见侧来使用。

通过这种结构，本发明的透明基材薄膜层叠体能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生。

以下，对本发明的透明基材薄膜层叠体、触摸面板用传感器薄膜、触摸面板、图像显示装置及图像显示装置的可见性改善方法的优选方式进行说明。

＜透明基材薄膜层叠体的结构＞

首先，使用附图对本发明的透明基材薄膜层叠体的结构进行说明。本发明的透明基材薄膜层叠体的结构并不受附图的限定。

图1是本发明的图像显示装置的一例中的剖面的概略图。

图1所示的本发明的透明基材薄膜层叠体5为配置于图像显示装置15的偏振片的可见侧21A来使用的透明基材薄膜层叠体，所述图像显示装置15至少具有背光光源14和配置于背光光源的可见侧的偏振片11，其中，透明基材薄膜层叠体5至少具有第一透明基材薄膜1和第二透明基材薄膜2。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选背光光源为荧光体方式的白色发光二极管。背光光源优选为实质上连续的发光光谱，在该情况下，本发明的透明基材薄膜层叠体尤其能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生。

(各部件的配置)

图1所示的本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选图像显示装置15在背光光源14与偏振片11之间具有液晶单元13。当图像显示装置具有2片偏振片时(图1中未图示)，本发明的透明基材薄膜层叠体优选配置于图像显示装置的可见侧的偏振片的更靠可见侧来使用。

本发明的透明基材薄膜层叠体5优选与本发明的图像显示装置15中的偏振片11经由粘接剂12而层叠。

透明基材薄膜层叠体可以具有除第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜以外的部件。图1所示的本发明的透明基材薄膜层叠体5中，优选第一透明基材薄膜1及第二透明基材薄膜2经由粘结材料3而层叠。

当将透明基材薄膜层叠体用于触摸面板时，图1所示的本发明的触摸面板7中，优选本发明的透明基材薄膜层叠体5中的第二透明基材薄膜2具有导电层4。当第二透明基材薄膜2具有导电层4时，能够较佳地用作触摸面板用传感器薄膜。

图1所示的本发明的触摸面板7优选还具有前面板6。作为前面板，优选玻璃基板或盖塑料(cover plastic)。并且，优选前面板6和第二透明基材薄膜2经由粘结材料3而层叠。

如图1所示，导电层4可以局部性地形成为图案状或网格状，也可以形成为覆盖第二透明基材薄膜2的整个面的层状。

-第二透明基材薄膜的配置-

图2是说明本发明的图像显示装置的一例中的偏振片、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的层叠顺序的图。

本发明的透明基材薄膜层叠体5中，相对于第一透明基材薄膜1而言，将第二透明基材薄膜2配置于可见侧21A来使用。若相对于第一透明基材薄膜，将第二透明基材薄膜配置于可见侧来使用，则能够抑制彩虹状不均匀的产生。图2所示的本发明的图像显示装置的一例中，第一透明基材薄膜的慢轴的方位1A、第二透明基材薄膜的慢轴的方位2A及偏振片的吸收轴的方位11A均存在于xy平面上，可见侧21A的方位为z轴的正方向。另外，一般而言，在很多情况下，图像显示装置中的偏振片的吸收轴的方位11A相对于图像显示装置的图像显示部(显示画面)为左右方向即y轴方向，有时为上下方向即x轴方向。一般而言，图像显示装置中的图像显示装置的图像显示部(显示画面)的左右方向的边与y轴方向一致，上下方向的边与x轴方向一致。

(第一透明基材薄膜的慢轴、第二透明基材薄膜的慢轴及偏振片的吸收轴的配置)

图3是说明本发明的图像显示装置的一例中的透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角的关系的图。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角113A为除0°及90°以外的角。第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角113A优选1～89°，更优选10～80°，尤其优选20～70°，更尤其优选30～60°，最优选45°。若第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角113A为除0°及90°以外的角，则第一透明基材薄膜的Re和第二透明基材薄膜的Re不会被简单地相加在一起，且第一透明基材薄膜的Rth和第二透明基材薄膜的Rth不会被简单地相加在一起。因此，能够进行前述第一阶段的偏振消除和第二阶段的偏振消除。第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角113A越是接近45°，通过第一阶段的偏振消除和第二阶段的偏振消除更能够抑制彩虹状不均匀和遮光，因此优选。

本发明的透明基材薄膜层叠体5以使图3所示的第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角111A成为45°±20°的方式配置来使用。第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角111A优选45°±15°，更优选45°±10°，进一步优选45°±5°。若第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角111A为45°±20°，则容易进行第一阶段的偏振消除，容易抑制彩虹状不均匀和遮光的产生。

本发明的透明基材薄膜层叠体5以使图3所示的第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角112A成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用。第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角优选90°±15°或0°±15°，更优选90°±7°或0°±7°。若第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角112A为90°±30°或0°±30°，则容易进行第二阶段的偏振消除，容易抑制彩虹状不均匀和遮光的产生。另外，若第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角112A为90°±30°或0°±30°，则能够相对于长条状的第二透明基材薄膜的边倾斜90°±30°或0°±30°而将第二透明基材薄膜切出成所希望的形状并用于本发明的透明基材薄膜层叠体，且可抑制生产损失。

(透明基材薄膜层叠体为四边形状时的配置)

本发明的透明基材薄膜层叠体从可见侧观察时优选(正投影)透明基材薄膜层叠体为四边形状，更优选为长方形状。

如图2所示，优选本发明的透明基材薄膜层叠体5为四边形状，且以使透明基材薄膜层叠体5的各边(第一透明基材薄膜1的各边及第二透明基材薄膜2的各边)与偏振片的吸收轴的方位11A所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式配置来使用。透明基材薄膜层叠体的各边与偏振片的吸收轴所成的角的优选的范围与后述的第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角的优选的范围相同。

如图2所示，优选本发明的透明基材薄膜层叠体5为四边形状，且透明基材薄膜层叠体5的各边(第一透明基材薄膜1的各边及第二透明基材薄膜2的各边)与第二透明基材薄膜的慢轴的方位2A所成的角为90°±30°或0°±30°。透明基材薄膜层叠体的各边与第二透明基材薄膜的慢轴所成的角的优选的范围与后述的第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角的优选的范围相同。

＜第一透明基材薄膜的特性＞

(相位差)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re为4000nm以上。Re表示薄膜面内的延迟，单位为nm。

第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re优选6000nm以上，更优选8000nm以上。若第一透明基材薄膜的Re为4000nm以上，则容易进行第一阶段的偏振消除，能够充分抑制彩虹状不均匀.

第一透明基材薄膜的厚度方向的延迟Rth优选3000～30000nm，更优选3500～25000nm，进一步优选4000～20000nm。理论上难以制作Rth低于3000nm的薄膜。若为30000nm以下，则容易进行第一阶段的偏振消除，不易产生彩虹状不均匀，故优选。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re相对于薄膜厚度方向的延迟Rth之比Re/Rth为0.5以上。

第一透明基材薄膜的Re/Rth优选0.7以上，更优选0.8以上。若为0.5以上，则容易进行第一阶段的偏振消除，不易产生彩虹状不均匀。

也能够通过将表示Re、Rth的关系的Nz值设为适当的值来降低彩虹状不均匀。从彩虹状不均匀的降低效果及制造适性来看，优选Nz值的绝对值为2.5以下，更优选为0.5～2.0，进一步优选为0.5～1.7。

彩虹状不均匀是由于入射光而产生的，因此通常在白显示时可观察到。

第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re由下述式(14)表示。

Re＝(nx-ny)×y₁……(14)

其中，nx为薄膜的面内慢轴方向的折射率，ny为薄膜的面内快轴方向(与面内慢轴方向正交的方向)的折射率，y₁为薄膜的厚度。

第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜的薄膜厚度方向的延迟Rth由下述式(15)表示。

Rth＝{(nx+ny)/2-nz}×y₁……(15)

其中，nz为第一透明基材薄膜的薄膜厚度方向的折射率。

另外，第一透明基材薄膜的Nz值由下述式(16)表示。

Nz＝(nx-nz)/(nx-ny)……(16)

本说明书中，波长λnm下的Re、Rth及Nz能够以如下方式进行测定。

使用两片偏振片，求出第一透明基材薄膜的取向轴方向，以使取向轴方向正交的方式切出4cm×2cm的长方形来作为测定用样品。对于该样品，通过阿贝折射率计(ATAGOCO.,LTD.制，NAR-4T，测定波长589nm)求出正交的两个轴的折射率(nx、ny)及厚度方向的折射率(nz)，将前述两个轴的折射率差的绝对值(|nx-ny|)作为折射率的各向异性(Δnxy)。第一透明基材薄膜的厚度y₁(nm)使用电测微计(Feinpruf>1的值分别计算出Re、Rth、Nz。

上述Re、Rth能够根据薄膜中所使用的树脂的种类、树脂与添加剂的量、延迟显现剂的添加、薄膜的厚度、薄膜的拉伸方向和拉伸率等进行调整。

将第一透明基材薄膜控制在上述Re、Rth的范围内的方法并没有特别限制，例如能够通过拉伸法来实现。

(厚度)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜的厚度为40μm以上。第一透明基材薄膜的厚度优选60μm以上，更优选80μm以上。若为40μm以上，则容易得到上述光学特性，容易抑制彩虹状不均匀和遮光。

关于第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜的厚度t，使用接触式膜厚测定仪，在纵向拉伸的方向(长度方向)上的0.5m上以等间隔采样50处，进而在薄膜宽度方向(与长度方向正交的方向)上的薄膜的整个宽度上以等间隔(在宽度方向上进行50等分)采样50处之后，测定了该100处的厚度。求出该100处的平均厚度，作为薄膜的厚度。

(折射率、结晶度)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜为单轴取向聚酯薄膜。使用单轴取向聚酯薄膜作为第一透明基材薄膜时，容易得到上述光学特性，容易抑制彩虹状不均匀和遮光。

能够根据薄膜的折射率或结晶度来确认单轴取向聚酯薄膜。具体而言，本发明的第一透明基材薄膜中，优选长度方向或宽度方向的折射率中较小的一方的折射率为1.610以下、长度方向或宽度方向的折射率中较大的一方的折射率为1.670以上且结晶度超过5％。

第一透明基材薄膜的长度方向或宽度方向的折射率中较小的一方的折射率的优选的范围优选为1.610以下，更优选为1.605以下，进一步优选为1.600以下。

第一透明基材薄膜的长度方向或宽度方向的折射率中较大的一方的折射率的优选的范围优选为1.670以上，更优选为1.680以上，进一步优选为1.690以上。

并且，第一透明基材薄膜的长度方向或宽度方向的折射率中较大的一方的折射率与长度方向或宽度方向折射率中较小的一方的折射率之差优选为0.060以上，更优选为0.070以上，进一步优选为0.080以上，最优选为0.090以上。

第一透明基材薄膜的结晶度优选为5％以上，更优选为15％以上，进一步优选为20％以上，最优选为25％以上。

＜第一透明基材薄膜的材料、层结构、表面处理＞

第一透明基材薄膜的材料只要Re的范围不违反本发明的宗旨，则并没有特别限制，能够使用公知的树脂或材料。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，作为第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜中所使用的树脂并没有特别限制，能够使用利用了公知的树脂的树脂薄膜。例如，可以举出聚酯、聚碳酸酯等。其中，本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜中至少1个为聚酯薄膜。聚酯薄膜是指包含聚酯树脂的薄膜。聚酯树脂可以举出聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯等。其中，优选为聚对苯二甲酸乙二酯。使用聚酯树脂时，容易得到第一透明基材薄膜及后述的第二透明基材薄膜的光学特性，容易抑制彩虹状不均匀和遮光。

当第一透明基材薄膜为聚酯薄膜时，可以是将聚酯树脂作为主成分(树脂在薄膜整体中所占的质量比例为50质量％以上)的层的单层膜，也可以是具有至少1层将聚酯树脂作为主成分的层的多层膜。并且，也可以是对这些单层膜或多层薄膜的两面或单面实施了表面处理的膜。表面处理可以是使用了电晕处理、皂化处理、热处理、紫外线照射、电子束照射等的表面改性，也可以使用高分子或金属等的涂布或蒸镀等来形成薄膜。树脂在薄膜整体中所占的质量比例通常为50质量％以上，优选为70质量％以上，更优选为90质量％以上。

优选在第一透明基材薄膜的至少单面层叠有易粘接层。更优选前述易粘接层含有粒子，且前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度为前述易粘接层的厚度以上。

前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度为1mm平方的易粘接层中的5处的平均值。

若易粘接层中所含有的粒子从前述易粘接层的表面突出的高度低于易粘接层(优选涂布层)的厚度，则滑动性下降，容易产生褶皱。

粒子的种类并没有特别限定。作为粒子的具体例，例如可以举出二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钙、磷酸钙、磷酸镁、高岭土、氧化铝、氧化钛、氧化锆等粒子，优选为二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆。并且，也可以使用日本特公昭59-5216号公报、日本特开昭59-217755号公报等中所记载的耐热性有机粒子。作为其他耐热性有机粒子的例子，可以举出热固性尿素树脂、热固性酚醛树脂、热固性环氧树脂、苯并胍胺树脂等。

关于粒径，优选为前述易粘接层的前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度成为前述易粘接层的厚度以上的粒径。优选使用调整了一次平均粒径的粒子。作为结果，可以是以前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度成为前述易粘接层的厚度以上的方式凝聚的粒子。在凝聚粒子的情况下，通过测定二次平均粒径，能够确认前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度。

(1-1)聚酯树脂

作为前述聚酯树脂，可以优选使用国际公开WO2012/157662号公报的[0042]的组成的聚酯树脂。

作为聚酯，能够使用聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate；PEN)、聚对苯二甲酸丁二酯、聚对苯二甲酸环己烷二甲酯(polycyclohexane dimethylene terephthalate)等。从成本、耐热性的观点考虑，更优选PET、PEN，进一步优选PET(PEN的Re/Rth稍微容易变小)。

聚酯最优选聚对苯二甲酸乙二酯，但也能够优选使用聚萘二甲酸乙二酯，例如能够优选使用日本特开2008-39803号公报中所记载的聚酯。

聚对苯二甲酸乙二酯为具有源自对苯二甲酸的结构单元作为二羧酸成分及具有源自乙二醇的结构单元作为二醇成分的聚酯。聚对苯二甲酸乙二酯中，优选所有重复单元的80摩尔％以上为对苯二甲酸乙二酯。聚对苯二甲酸乙二酯可以包含源自其他共聚成分的结构单元。作为其他共聚成分，可以举出间苯二甲酸、对-β-氧基乙氧基苯甲酸、4，4’-二苯基二羧酸、4，4’-二羧基二苯甲酮、双(4-羧基苯基)乙烷、己二酸、癸二酸、间苯二甲酸-5-磺酸钠、1,4-环己二羧酸等二羧酸成分、以及丙二醇、丁二醇、新戊二醇、二甘醇、环己二醇、双酚A的环氧乙烷加成物、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等二醇成分。这些二羧酸成分以及二醇成分根据需要能够将两种以上组合使用。并且，也能够与上述羧酸成分以及二醇成分一起同时使用对羟基苯甲酸等羟基羧酸。作为其他共聚成分，可以使用含有少量的酰胺键、氨基甲酸酯键、醚键、碳酸酯键等的二羧酸成分和/或二醇成分。作为聚对苯二甲酸乙二酯的制造方法，能够使用使对苯二甲酸与乙二醇、以及根据需要使用的其他二羧酸和/或其他二醇直接反应的、所谓的直接聚合法；使对苯二甲酸的二甲酯与乙二醇、以及根据需要使用的其他二羧酸的二甲酯和/或其他二醇进行酯交换反应的、所谓的酯交换反应法等任意的制造方法。

(1-2)聚酯树脂的物理性质

(1-2-1)固有粘度

聚酯树脂的固有粘度IV(Intrinsic Viscosity)优选0.5以上且0.9以下，更优选0.52以上且0.8以下，进一步优选0.54以上且0.7以下。为了设为这样的IV，可以在合成聚酯树脂时，除了后述的熔融聚合以外，还可以同时使用固相聚合。

(1-2-2)乙醛含有率

聚酯树脂的乙醛含量优选为50ppm(parts per million：百万分之一)以下。进一步优选为40ppm以下，尤其优选为30ppm以下。乙醛容易在乙醛彼此之间引起缩合反应，生成水作为副反应物，有时利用该水进行聚酯的水解。乙醛含量的下限在现实中为1ppm左右。为了将乙醛含量设在上述范围内，能够采用如下等方法：将制造树脂时的熔融聚合及固相聚合等各工序中的氧浓度保持为较低；将树脂保管时及干燥时的氧浓度保持为较低；降低制造薄膜时在挤出机、熔体配管及模具等中施加于树脂的热历程；防止熔融时在挤出机的螺杆结构等中局部施加较强的剪切。

-催化剂-

聚酯的聚合中可以使用Sb、Ge、Ti、Al类催化剂。优选为Sb、Ti、Al类催化剂，进一步优选为Ti类催化剂。

即，本发明的聚酯薄膜优选为使用包含钛原子的催化剂将聚酯聚合而成。

通过使用Ti类催化剂，与使用了其他催化剂(例如Sb类)的情况相比，能够制成组装于图像显示装置时能够改善显示装置的显示品质的聚酯薄膜。推断其基于以下原因。

Ti类催化剂的催化活性较高，因此所需的添加量较少即可。并且，成为还原下的反应，因此也难以成为氧化钛而引起异物析出。因此，起因于催化剂的异物较少，不易引起缺陷故障，其为能够改善图像显示装置的显示品质的原因。

·Ti类催化剂：

作为Ti类催化剂，能够援用使用日本特开2013-47317号公报的[0063]～[0090]中所记载的催化剂，该公报中所记载的内容被引入本说明书中。其中，作为Ti催化剂，优选使用钛酸四正丙酯、钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸四正丁酯四聚物、钛酸四叔丁酯、钛酸四环己基酯、钛酸四苯基酯、钛酸四苄基酯等钛醇盐、通过钛醇盐的水解而得到的钛氧化物、通过钛醇盐与硅醇盐或锆醇盐的混合物的水解而得到的钛-硅或锆复合氧化物、乙酸钛、草酸钛、草酸钛钾、草酸钛钠、钛酸钾、钛酸钠、钛酸-氢氧化铝混合物、氯化钛、氯化钛-氯化铝混合物、乙酰丙酮钛、以有机酸为配体的有机螯合钛络合物等。

作为使用上述Ti类催化剂来将聚酯树脂进行聚合的方法并没有特别限制，具体而言，能够按照日本特开2013-47317号公报的[0063]～[0111]进行聚合。

Ti类催化剂量作为相对于聚酯质量的Ti元素的量，优选1～50ppm，更优选2～30ppm，进一步优选3～15ppm。

·Al类催化剂：

作为上述Al类催化剂，能够援用使用WO2011/040161号公报的[0013]～[0148](US2012/0183761号公报的[0021]～[0123])中所记载的催化剂，这些公报中所记载的内容被引入本说明书中。

作为使用上述Al类催化剂来将聚酯树脂进行聚合的方法并没有特别限制，具体而言，能够援用WO2012/008488号公报的[0091]～[0094](US2013/0112271号公报的[0144]～[0153])并按照这些公报进行聚合。这些公报中所记载的内容被引入本说明书中。

这种Al类催化剂例如能够援用日本特开2012-122051号公报的[0052]～[0054]、[0099]～[0104](WO2012/029725号公报的[0045]～[0047]、[0091]～[0096])并按照这些公报进行制备。这些公报中所记载的内容被引入本说明书中。Al类催化剂量作为相对于聚酯树脂质量的Al元素的量，优选为3～80ppm，更优选为5～60ppm，进一步优选为5～40ppm。

·Sb类催化剂：

作为上述Sb类催化剂，能够使用日本特开2012-41519号公报的[0050]、[0052]～[0054]中所记载的催化剂。

作为使用上述Sb类催化剂来将聚酯树脂进行聚合的方法并没有特别限制。具体而言，能够按照WO2012/157662号公报的[0086]～[0087]进行聚合。

(1-3)添加剂：

还优选在第一透明基材薄膜中加入公知的添加剂。作为其例子，可以举出紫外线吸收剂、粒子、滑剂、防粘连剂、热稳定剂、抗氧化剂、抗静电剂、耐光剂、耐冲击性改进剂、润滑剂、染料、颜料等。其中，第一透明基材薄膜一般要求透明性，因此添加剂的添加量优选控制在最小限度。

并且，在多层结构的第一透明基材薄膜的情况下，优选至少3层结构的透明基材薄膜。

第一透明基材薄膜中可以使用其他添加剂，例如能够援用使用WO2012/157662号公报的[0058]中所记载的添加剂，这些公报中所记载的内容被引入本说明书中。

＜第一透明基材薄膜的制造方法＞

第一透明基材薄膜的制造方法并没有特别限制，能够采用公知的方法。其中，第一透明基材薄膜的制造方法优选为单轴取向薄膜的制造方法，优选仅沿一个方向进行积极的拉伸，更优选仅沿TD方向进行积极的拉伸。

第一透明基材薄膜的制造方法为使用具有夹具的拉幅机式拉伸装置的第一透明基材薄膜的制造方法，所述夹具沿着配置于薄膜输送路两侧的一对导轨行走，优选所述制造方法包含以下工序：一边利用前述夹具把持实质上未拉伸的薄膜(优选实质上未拉伸的聚酯薄膜)一边进行横向拉伸的工序；及将前述横向拉伸后的薄膜加热至前述拉幅机内的最高温度的热定型工序。第一透明基材薄膜的制造方法中，优选将前述横向拉伸工序中的横向拉伸倍率控制在3.3倍以上且4.8倍以下的范围内。第一透明基材薄膜的制造方法中，在前述横向拉伸工序中，优选将拉伸开始时的膜面温度保持在80℃以上且95℃以下的范围内，且将拉伸结束时的膜面温度保持在90℃以上且105℃以下，从前述拉伸开始时至前述拉伸结束时为止，使膜面温度逐渐上升。

其中，“实质上未拉伸的聚酯薄膜”是指MD方向及TD方向的折射率均为1.590以下的聚酯薄膜，例如即使进行沿MD方向微量拉伸等，MD方向及TD方向的折射率也均为1.590以下的聚酯薄膜等也包含于实质上未拉伸的聚酯薄膜中。

以下，对第一透明基材薄膜的制造方法的优选的方式进行说明。

(熔融混炼)

前述实质上未拉伸的薄膜优选将树脂熔融挤出而成型为薄膜状。

优选将树脂或利用母料法制造出的树脂和添加剂的母料干燥至含水率200ppm以下之后，导入单螺杆或双螺杆挤出机中使其熔融。此时，为了抑制树脂的分解，还优选在氮气中或真空中进行熔融。详细条件能够援用日本专利4962661号的[0051]～[0052](US2013/0100378号公报的[0085]～[0086])并按照这些公报来实施，这些公报中所记载的内容被引入本说明书中。另外，还优选为了提高熔融树脂(熔体)的送出精确度而使用齿轮泵。并且，还优选使用用于去除异物的3μm～20μm的过滤器。

(挤出、共挤出)

优选从模具中挤出包含经熔融混炼的树脂的熔体。可以以单层挤出，也可以以多层挤出。当以多层挤出时，例如可以层叠包含添加剂的层和不含添加剂的层，将添加剂作为内层的3层结构抑制添加剂的渗出，故优选。

渗出的添加剂转印到制膜工序的平整辊上，增加薄膜与辊的摩擦系数，容易产生擦伤，故不优选。

当薄膜是以多层挤出来制造时，所得到的薄膜的优选的内层的厚度(相对于总层的比率)优选为50％以上且95％以下，更优选为60％以上且90％以下，进一步优选为70％以上且85％以下。这样的层叠能够通过使用进料块模头(feed-block die)或多歧管模头(multi-manifold die)来实施。

(流延)

优选按照日本特开2009-269301号公报的[0059]，将从模具中挤出的熔体向流延鼓上挤出并进行冷却固化而得到前述实质上未拉伸的薄膜(卷状膜)。

前述实质上未拉伸的聚酯薄膜的长度方向的折射率优选为1.590以下，更优选为1.585以下，进一步优选为1.580以下。

前述实质上未拉伸的聚酯薄膜的结晶度优选为5％以下，更优选为3％以下，进一步优选为1％以下。另外，在此所说的前述实质上未拉伸的聚酯薄膜的结晶度是指薄膜宽度方向的中央部的结晶度。

在调整结晶度时，可以降低流延鼓端部的温度或者向流延鼓上送风。

关于结晶度，能够由薄膜的密度进行计算。即，能够利用薄膜的密度X(g/cm³)、结晶度0％下的密度Y＝1.335g/cm³、结晶度100％下的密度Z＝1.501g/cm³，通过下述计算式导出结晶度(％)。

结晶度＝{Z×(X-Y)}/{X×(Z-Y)}×100

另外，就密度的测定而言，按照JIS K7112进行了测定。

(聚合物层(易粘接层)的形成)

在经熔融挤出的前述实质上未拉伸的薄膜上，可以在后述的拉伸之前或之后通过涂布来形成聚合物层(优选易粘接层)。

作为前述聚合物层，一般能够举出可以作为触摸面板用树脂基材而具有的功能层，其中，优选形成易粘接层作为前述聚合物层。易粘接层能够利用WO2012/157662号公报的[0062]～[0070]中所记载的方法进行涂布设置。

优选前述易粘接层的形成用组成物(优选涂布液)含有粒子，且以前述粒子从前述易粘接层的表面突出的高度成为前述易粘接层的厚度以上的方式控制易粘接层的厚度和粒子的平均粒径而形成易粘接层。

(横向拉伸)

优选包含使用具有夹具的拉幅机式拉伸装置，一边利用前述夹具把持实质上未拉伸的薄膜一边进行横向拉伸的工序，所述夹具沿着设置于薄膜输送路两侧的一对导轨行走。

作为具有沿着设置于薄膜输送路两侧的一对导轨行走的夹具的拉幅机式拉伸装置并没有特别限制。一对导轨通常使用一对环状导轨。

另外，夹具的含义与把持部件相同。

第一透明基材薄膜的制造方法中，优选将实质上未拉伸的薄膜进行横向拉伸。一边将实质上未拉伸的薄膜沿着薄膜输送路进行输送，一边沿与薄膜输送方向正交的方向进行横向拉伸。

通过进行横向拉伸，能够使薄膜面内的延迟Re较大发现。尤其，为了实现满足前述Re、Re/Rth的范围的第一透明基材薄膜，优选至少进行横向拉伸。

第一透明基材薄膜的制造方法中，前述横向拉伸工序中的横向拉伸倍率优选控制在3.3倍以上且4.8倍以下的范围内。横向拉伸倍率更优选3.5倍以上且4.5倍以下，进一步优选3.7倍以上且4.3倍以下。若横向拉伸倍率为3.3倍以上，则Re充分变大。若横向拉伸倍率为4.8倍以下，则从各种机械特性的观点考虑优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，优选将前述横向拉伸工序中的拉伸开始时的膜面温度保持在80℃以上且96℃以下的范围内。拉伸开始时的膜面温度更优选82℃以上且95℃以下，进一步优选84℃以上且94℃以下。若拉伸开始时的膜面温度为80℃以上，则在拉伸阶段，取向或取向结晶化不会过度进展，Rth难以上升，Re/Rth比容易成为0.7以上，从各种机械特性的观点考虑也优选。若拉伸开始时的膜面温度为96℃以下，则取向不易变得不足，球晶难以生长，Re充分上升，从各种机械特性的观点考虑也优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，优选将前述横向拉伸工序中的拉伸结束时的膜面温度保持为88℃以上且105℃以下。拉伸结束时的膜面温度更优选90℃以上且102℃以下，进一步优选92℃以上且100℃以下。若拉伸结束时的膜面温度为88℃以上，则在拉伸阶段，取向或取向结晶化不会过度进展，Rth难以上升，Re/Rth比容易成为0.7以上，从各种机械特性的观点考虑也优选。若拉伸结束时的膜面温度为105℃以下，则取向不易变得不足，球晶难以生长，Re充分上升，从各种机械特性的观点考虑也优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，优选从拉伸开始时至拉伸结束时为止使膜面温度逐渐上升。拉伸结束时与拉伸开始时的膜面温度之差更优选1℃以上，进一步优选3℃以上，最优选5℃以上。若从拉伸开始时至拉伸结束时为止使膜面温度上升，则更难以形成球晶，且取向也不会过度进展，因此容易兼顾Re、Re/Rth和各种机械特性。

第一透明基材薄膜的制造方法中，在前述横向拉伸工序中，拉伸倍率为1～2倍的范围的膜面温度优选为80℃以上且92℃以下，更优选为82℃以上且91℃以下，进一步优选为84℃以上且91℃以下。若拉伸倍率为1～2倍的范围的膜面温度为80℃以上，则在拉伸阶段，取向或取向结晶化不会过度进展，Rth难以上升，Re/Rth比成为0.7以上，从各种机械特性的观点考虑也优选。若拉伸倍率为1～2倍的范围的膜面温度为92℃以下，则取向不易变得不足，微小的聚酯晶体难以生长，Re充分上升，从各种机械特性的观点考虑也优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，在前述横向拉伸工序中，拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度优选为85℃以上且97℃以下，更优选为86℃以上且97℃以下，进一步优选为87℃以上且96℃以下。若拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度为85℃以上，则在拉伸阶段，取向或取向结晶化不会过度进展，Rth难以上升，Re/Rth比成为0.7以上，从各种机械特性的观点考虑也优选。若拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度为97℃以下，则取向不易变得不足，微小的聚酯晶体难以成长，Re充分上升，从各种机械特性的观点考虑也优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，在前述横向拉伸工序中，拉伸倍率为3倍以上的范围的膜面温度优选为88℃以上且102℃以下，更优选为90℃以上且101℃以下，进一步优选为92℃以上且100℃以下。若拉伸倍率为3倍以上的范围的膜面温度为90℃以上，则在拉伸阶段，取向或取向结晶化不会过度进展，Rth难以上升，Re/Rth比成为0.7以上，从各种机械特性的观点考虑也优选。若拉伸倍率为3倍以上的范围的膜面温度为102℃以下，则取向不易变得不足，微小的聚酯晶体难以生长，Re充分上升，从各种机械特性的观点考虑也优选。

第一透明基材薄膜的制造方法中，从拉伸开始时至拉伸结束时为止使膜面温度逐渐上升，因此在前述横向拉伸工序中，拉伸倍率为1～2倍的范围的膜面温度、拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度、拉伸倍率为3倍以上的范围的膜面温度分别优选不会成为拉伸倍率较小的拉伸时的范围的膜面温度以下。即，拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度优选不会成为拉伸倍率为1～2倍的范围的膜面温度以下，拉伸倍率为3倍以上的范围的膜面温度优选不会成为拉伸倍率为2～3倍的范围的膜面温度以下。

在横向拉伸工序中的预热、拉伸、热定型、热松弛及冷却中，作为对第一透明基材薄膜进行加热或冷却的温度控制机构，可以举出如下机构：对第一透明基材薄膜吹暖风或冷风，或者使第一透明基材薄膜与能够控制温度的金属板的表面接触，或者使第一透明基材薄膜通过能够控制温度的金属板附近。

即，能够通过利用夹具把持薄膜的两端并一边加热一边扩大夹具间的宽度来实现。

(热定型、热松弛)

第一透明基材薄膜的制造方法优选包含将前述横向拉伸后的薄膜加热至前述拉幅机内的最高温度的热定型工序。

为了在拉伸之后促进结晶化，优选进行被称为“热定型”的热处理。通过在超过拉伸温度的温度下进行来促进结晶化，从而能够提高薄膜的强度。

在热定型中，因结晶化而体积收缩。

作为热定型的方法，与宽度方向平行地设置多条向拉伸部送出热风的狭缝。能够通过将从该狭缝吹出的气体的温度设为高于拉伸部来实现。

并且，也可以在拉伸(部)出口附近设置热源(infrared heater；IR加热器、卤素加热器等)来进行升温。

前述热定型及前述热松弛工序的最高到达膜面温度优选130℃以上且190℃以下，更优选140℃以上且180℃以下，进一步优选150℃以上且175℃以下。若前述热定型及前述热松弛工序的最高到达膜面温度为130℃以上，则能够减小热收缩率，因此优选。若前述热定型及前述热松弛工序的最高到达膜面温度为190℃以下，则Rth难以上升，Re/Rth比率不会变得过小，因此优选。

第一透明基材薄膜的制造方法优选包含对前述经热定型的薄膜进行加热且缩小前述薄膜的至少MD方向的长度的热松弛工序。换言之，优选在从前述夹具中释放前述横向拉伸后的薄膜之前包含以下工序：热定型工序，将前述横向拉伸后的薄膜加热至拉幅机内的最高温度；及热松弛工序，一边对前述热定型工序后的薄膜进行加热一边缩小前述一对导轨间距离。另外，热松弛工序不严格地限定于在热定型工序之后进行的方式，也可以同时进行热定型工序和热松弛工序。当同时进行热定型工序和热松弛工序时，优选将加热至拉幅机内的最高温度的时刻为止设为热定型工序，且在不超过该拉幅机内的最高温度的温度下接着进行热松弛。

优选在前述热定型工序后，与热处理同时进行松弛(使薄膜收缩)，优选沿TD(横向)、MD(纵向)中的至少一个方向进行。

横向松弛能够通过缩小所加宽的夹具的宽度来实现。

就这样的松弛而言，例如可以在拉幅机中使用受电弓状的卡盘并缩小受电弓的间隔，也能够通过使夹具在电磁铁上驱动并降低其速度来实现。

在前述热松弛工序中，从抑制在第一透明基材薄膜上产生擦伤的观点考虑，优选将缩小前述经热定型的薄膜的MD方向的长度的比例即MD方向的松弛率设为1～7％，更优选2～6％，进一步优选3～5％。若MD方向的松弛率为1％以上，则能够减小MD方向的热收缩率，不易产生褶皱。若MD方向的松弛率为7％以下，则在松弛处理中不易在MD方向上产生松弛，不易成为面状故障，故优选。

从抑制在第一透明基材薄膜上产生擦伤的观点考虑，优选将缩小前述经热定型的薄膜的TD方向的长度的比例即TD方向的松弛率设为0～6％，更优选1～4％，进一步优选1～3％。若TD方向的松弛率为6％以下，则在松弛处理中不易在TD方向上产生松弛，不易成为面状故障，故优选。

TD方向(横向)的松弛温度优选上述热定型温度的范围，只要能够进行将前述横向拉伸后的薄膜加热至前述拉幅机内的最高温度的热定型，则可以是与热定型相同的温度(即可以达到拉幅机内的最高温度)，也可以低于热定型温度。

通过上述拉伸、热定型，能够容易实现第一透明基材薄膜的Re、Rth、Re/Rth。即，通过利用这些方法进行拉伸、热定型，容易形成显现降低彩虹状不均匀的效果的第一透明基材薄膜。

(冷却)

第一透明基材薄膜的制造方法优选在从前述夹具中释放前述热定型后的薄膜之前包含对前述热定型后的薄膜进行冷却的工序。从容易降低从前述夹具中释放前述横向拉伸后的薄膜时的夹具的温度的观点考虑，更优选在从夹具中释放之前对拉伸后(优选热定型后)的薄膜进行冷却。

作为前述热定型后的薄膜的冷却温度，优选80℃以下，更优选70℃以下，尤其优选60℃以下。

作为对前述热定型后的薄膜进行冷却的方法，具体而言，能够举出对薄膜吹冷风的方法。

(从夹具中释放薄膜)

第一透明基材薄膜的制造方法中，优选从前述夹具中释放前述横向拉伸后的薄膜。

优选将薄膜从把持部件脱离时的薄膜表面的温度控制在40～140℃的范围内。薄膜从把持部件脱离时的薄膜表面的温度更优选为50℃以上且120℃以下，进一步优选为60℃以上且100℃以下。

制膜完成后(上述横向拉伸及从夹具中释放的工序之后)的第一透明基材薄膜的厚度的优选的范围与第一透明基材薄膜的厚度的优选的范围相同。

(薄膜的回收、切割、卷取)

上述横向拉伸及从夹具中释放的工序结束之后，根据需要对薄膜进行修剪、切割、厚度加工并为了回收而进行卷取。

第一透明基材薄膜的制造方法中，从有效地确保薄膜产品宽度且防止装置尺寸过大的观点考虑，优选从夹具中释放之后的薄膜宽度为0.8～6m，更优选为1～5m，尤其优选为1～4m。要求精确度的光学用薄膜通常以小于3m进行制膜，但本发明中优选以上述较宽的宽度进行制膜。

并且，可以将上述以较宽的宽度制膜的薄膜切割成优选2条以上且6条以下、更优选2条以上且5条以下、进一步优选3条以上且4条以下之后进行卷取。

并且，优选在切割后对两端进行厚度加工(赋予滚花)。

卷取优选为在直径70mm以上且600mm以下的卷芯上卷绕1000m以上且10000m以下。并且，卷取的薄膜的厚度与日本专利4962661号的[0049]相同。并且，还优选在卷取之前贴合掩蔽膜(masking film)。

＜第二透明基材薄膜的特性＞

(相位差)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re大于0nm，且优选小于第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re。

第二透明基材薄膜的Re优选200nm以上且第一透明基材薄膜的Re的0.5倍以下，更优选400nm以上且0.35倍以下，进一步优选500nm以上且0.25倍以下。随着第二透明基材薄膜的Re小于第一透明基材薄膜的Re，进而成为上述各上限值以下，容易进行第二阶段的偏振消除(虽然机理的详细内容不明)，不易产生彩虹状不均匀。另外，从容易产生第二阶段的偏振消除，并且第二透明基材薄膜的易制造性的观点考虑，也优选第二透明基材薄膜的Re大于0nm。为了制造Re为0nm的薄膜，需要高价的树脂或精密的拉伸精确度。随着Re大于0nm，进而成为上述各下限值以上，容易产生第二阶段的偏振消除，并且进行双轴拉伸而制造第二透明基材薄膜时等，即使不过度精密地控制拉伸精确度也能够制造第二透明基材薄膜。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的薄膜厚度方向的延迟Rth为20000nm以下。第二透明基材薄膜的Rth优选12000nm以下，更优选8000nm以下。若Rth为20000nm以下，则容易进行第二阶段的偏振消除，不易产生彩虹状不均匀。

第二透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re相对于薄膜厚度方向的延迟Rth之比Re/Rth优选为0.01～0.40，更优选为0.03～0.35，进一步优选为0.05～0.30。

上述Re、Rth能够根据薄膜中所使用的树脂的种类、树脂与添加剂的量、延迟显现剂的添加、薄膜的厚度、薄膜的拉伸方向和拉伸率等进行调整。

将第二透明基材薄膜控制在上述Re、Rth的范围内的方法并没有特别限制，例如能够通过拉伸法来实现。

(厚度)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜的厚度为80μm以下，且薄于第一透明基材薄膜的厚度。第二透明基材薄膜的厚度优选60μm以下，更优选50μm以下。若为80μm以下，或者若薄于第一透明基材薄膜的厚度，则容易得到上述光学特性，容易抑制彩虹状不均匀。

(折射率、结晶度)

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜为双轴取向聚酯薄膜。很多情况下，第二透明基材薄膜用作导电性薄膜(优选透明导电性薄膜)，从具有能够耐于赋予导电层时的高温处理的耐热性和强度等各种机械特性等的观点考虑，优选双轴取向聚酯薄膜。

能够根据薄膜的折射率或结晶度来确认双轴取向聚酯薄膜。具体而言，第二透明基材薄膜中，优选长度方向及宽度方向的折射率均大于1.610，且优选结晶度超过10％。

第二透明基材薄膜的长度方向及宽度方向的折射率的优选的范围优选为1.620以上，更优选为1.630以上，进一步优选为1.640以上。

第二透明基材薄膜的长度方向或宽度方向的折射率中较大的一方的折射率与长度方向或宽度方向折射率中较小的一方的折射率之差优选为0.001以上且0.049以下，更优选为0.002以上且0.045以下，进一步优选为0.003以上且0.040以下，最优选为0.005以上且0.030以下。

第二透明基材薄膜的结晶度优选为10％以上，更优选为20％以上，进一步优选为30％以上。

＜第二透明基材薄膜的材料＞

当第二透明基材薄膜为单层时，第二透明基材薄膜的材料的优选的范围与第一透明基材薄膜的材料的优选的范围相同。

当第二透明基材薄膜为层叠体时，本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选第二透明基材薄膜为形成有导电层的导电性薄膜。

导电性薄膜优选为在任意的支撑体上形成有导电层的导电性薄膜，更优选为在聚酯薄膜上形成有导电层的导电性薄膜，尤其优选为在上述双轴取向聚酯薄膜上形成有导电层的导电性薄膜。此时的聚酯薄膜的材料的优选的范围与第一透明基材薄膜的材料的优选的范围相同。

(导电层的材料)

作为导电层的材料并没有特别限制，例如可以举出铟-锡复合氧化物(IndiumTinOxide：ITO(铟锡氧化物))、锡氧化物、ATO(Antimony Tin Oxide：锑锡氧化物)、铜、银、铝、镍、铬或它们的合金等。

导电层优选为电极图案。并且，还优选为透明电极图案。电极图案可以是将透明导电材料层进行图案化而得到的电极图案，也可以是对不透明的导电材料的层形成图案而得到的电极图案。

作为透明导电材料，能够使用ITO或ATO等氧化物、银纳米线、碳纳米管、导电性高分子等。

作为不透明的导电材料的层，例如可以举出金属层。作为金属层，只要是具有导电性的金属则能够使用，可以较佳地使用银、铜、金、铝等。金属层可以是单体金属或合金，也可以是金属粒子通过粘结材料粘结而得到的层。并且，根据需要，对金属表面适用黑化处理或防锈处理。当使用金属时，能够一次性形成实质上透明的传感器部和周边的配线部。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选导电层包含多个金属细线。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，优选金属细线包含银或含银的合金。作为金属细线包含银或含银的合金的导电层并没有特别限制，能够使用公知的导电层。例如，优选使用日本特开2014-168886号公报的[0040]～[0041]中所记载的导电层，该公报的内容被引入本说明书中。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，还优选金属细线包含铜或含铜的合金。作为金属细线包含铜或含铜的合金的导电层并没有特别限制，能够使用公知的导电层。例如，优选使用日本特开2015-49852号公报的[0038]～[0059]段落中所记载的导电层，该公报的内容被引入本说明书中。

本发明的透明基材薄膜层叠体中，还优选导电层包含氧化物。当导电层包含氧化物时，本发明的透明基材薄膜层叠体中，更优选氧化物包含含有氧化锡的氧化铟或含有锑的氧化锡。作为包含氧化物的导电层并没有特别限制，能够使用公知的导电层。例如，优选使用日本特开2010-27293号公报的[0017]～[0037]段落中所记载的导电层，该公报的内容被引入本说明书中。

在这些结构的导电层之中，本发明的透明基材薄膜层叠体优选导电层包含多个金属细线，且金属细线被配置成网格状或不规则状，更优选金属细线被配置成网格状。其中，尤其优选金属细线被配置成网格状，且金属细线包含银或含银的合金。

＜第二透明基材薄膜的制造方法＞

第二透明基材薄膜的制造方法并没有特别限制，能够采用公知的方法。其中，第二透明基材薄膜的制造方法优选为双轴取向薄膜的制造方法，优选进行MD方向的纵向拉伸和TD方向的横向拉伸双方。

第二透明基材薄膜的制造方法的优选的方式除了拉伸工序和后述的导电层的形成以外，与第一透明基材薄膜的制造方法的优选的方式相同。

并且，当形成导电层时，可以设置日本特开2014-168886号公报的[0055]中所记载的下涂层或抗静电层之类的其他功能层来代替形成第一透明基材薄膜的制造方法中的易粘接层。该公报的内容被引入本说明书中。

以下，对第二透明基材薄膜的制造方法的优选的方式进行说明。

(拉伸工序)

第二透明基材薄膜的制造方法中，优选对未拉伸的薄膜进行MD方向的纵向拉伸和TD方向的横向拉伸双方。

第二透明基材薄膜的制造方法中的纵向拉伸和横向拉伸的优选的方式能够使用日本特开2014-189002号公报的[0128]～[0180]中所记载的方法，该公报的内容被引入本说明书中。

通过拉伸、热定型，能够容易实现第二透明基材薄膜的Re、Rth、Re/Rth。

(导电层的形成)

作为形成导电层的方法并没有特别限制，能够使用公知的方法。例如，优选使用日本特开2014-168886号公报的[0040]～[0086]中所记载的方法，该公报的内容被引入本说明书中。

作为形成导电层的一般的方式，有溅射法、真空蒸镀法、离子镀法等PVD(PhysicalVapor Deposition：物理气相沉积法)法、或CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积法)法、涂布法、印刷法等。并且，关于导电层，有时在形成导电层之前，为了提高透明性或光学特性等而设置底涂层。进而，为了提高粘附性，有时在上述底涂层与第二透明基材薄膜的支撑体(优选双轴取向聚酯薄膜)之间设置包含单一金属元素或2种以上的金属元素的合金的金属层。金属层中优选使用选自包括硅、钛、锡及锌的组中的金属。

并且，作为导电层为导电图案时的图案形成的方法，能够适用光刻(蚀刻)、图案印刷、转印、自组装化等。作为使用了蚀刻的导电图案层的例子，可以举出在第二透明基材薄膜上利用粘接剂层合了铜箔的导电层、蒸镀铜的导电层、在第二透明基材薄膜上溅射了金属或ITO等氧化物的导电层蚀刻成规定的图案而得到的导电图案层。作为通过图案印刷来形成导电图案层的方法，可以举出将导电性油墨印刷成规定的图案的方法；将非电解电镀的具有催化剂功能的材料印刷成规定的图案，并将导电性金属进行非电解电镀的方法；印刷形成非电解电镀的催化剂和附加体的材料之后，附加催化剂，进行非电解电镀处理的方法等。作为导电性油墨，可以举出银浆料、铜浆料、导电性高分子等。作为具有催化剂功能的材料，可以举出钯等催化剂粒子、或包含表面载持有催化剂粒子的粒子等的油墨等。作为形成催化剂和加成体的材料，可以举出包含银或导电性高分子等的油墨等。作为形成非电解镀层的金属，可以举出铜、镍、银等导电性金属。

作为上述图案印刷的方法，能够根据所需的图案精确度适用任意的方法。作为图案印刷的方法，可以较佳地使用网版印刷、凹版印刷或利用UV(ultraviolet：紫外线)固化型底漆从凹版转印的方法等。

[触摸面板用传感器薄膜]

本发明的触摸面板用传感器薄膜包含本发明的透明基材薄膜层叠体。

触摸面板用传感器薄膜优选在本发明的透明基材薄膜层叠体的第二透明基材薄膜上层叠有硬涂层、导电层。如图1所示，触摸面板用传感器薄膜中，优选第二透明基材薄膜2在两个面具有导电层4。

[触摸面板]

本发明的触摸面板具备本发明的透明基材薄膜层叠体。本发明的透明基材薄膜层叠体能够用于触摸面板。

关于液晶面板或配置于前述液晶面板的出射面上的偏振片，并没有特别限制，能够使用公知的液晶面板或偏振片。

本发明的触摸面板并没有特别限制，能够根据目的适当选择，例如可以举出表面型静电电容式触摸面板、投影型静电电容式触摸面板、电阻膜式触摸面板等。另外，触摸面板包含所谓的触摸传感器及触控板。触摸面板中的触摸面板传感器电极部的层结构可以是贴合2片透明电极的贴合方式、在1片基板的两面具备透明电极的方式、单面跨接或通孔方式或单面层叠方式中的任意一种。并且，投影型静电电容式触摸面板相比DC(directcurrent：直流电)驱动优选AC(alternating current：交流电)驱动，更优选对电极的电压施加时间较少的驱动方式。

[图像显示装置]

本发明的图像显示装置具备本发明的透明基材薄膜层叠体。

作为图像显示装置的代表例的LCD优选具备透射性显示体和从背面照射上述透射性显示体的背光光源。

图像显示装置的背光光源从偏振片的与可见侧相反的一侧进行照射。在背光光源与可见侧的偏振片之间可以插入有相位差膜或偏振片保护膜(图1中未图示)。在图像显示装置的各层之间可以根据需要设置粘接剂或粘结材料的层。

图像显示装置也可以是等离子显示器(Plasma Display Panel、PDP)。PDP优选具备：表面玻璃基板，表面形成有电极；及背面玻璃基板，以与该表面玻璃基板对置并在它们之间封入放电气体的方式配置，表面形成有电极及微小的槽，槽内形成有红、绿、蓝色的荧光体层。

图像显示装置也可以是在玻璃基板上蒸镀了施加电压时发光的硫化锌、二胺类物质：发光体，控制施加于基板的电压来进行显示的电致发光显示器(ELD)、或将电信号转换成光，产生人眼可以看到的图像的CRT(Cathode Ray Tube：阴极射线管)等图像显示装置。

图像显示装置中，作为背光光源并没有特别限定，优选为白色发光二极管(白色LED)。图像显示装置优选为具备白色发光二极管作为背光光源的VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式或IPS(In-Plane Switching：面内切换)模式的液晶显示装置。

上述白色LED是指通过荧光体方式，即通过将使用了化合物半导体的发出蓝色光或紫外光的发光二极管与荧光体进行组合而发出白色的元件。其中，包含将使用了化合物半导体的蓝色发光二极管和钇-铝-石榴石类黄色荧光体进行组合而成的发光元件的白色发光二极管具有连续且宽幅的发光光谱，因此对防反射性能及亮部对比度的改善有效，并且发光效率也优异，因此适合作为本发明中的上述背光光源。并且，由于能够广泛利用耗电小的白色LED，因此还能够发挥节能化效果。

并且，上述VA模式是指通过未施加电压时液晶分子以与液晶单元的基板垂直的方式取向而示出暗显示，且通过在电压的施加使液晶分子倒下而示出明显示的动作模式。

并且，上述IPS模式是指通过施加于设置在液晶单元的一个基板上的梳形电极对的横向电场，使液晶在基板面内旋转而进行显示的方式。

在任何情况下，本发明的图像显示装置能够使用于电视机、计算机、电子纸、触摸面板、平板PC(personal computer：个人计算机)等显示器显示。尤其，能够较佳地适用于阴极射线管显示装置(CRT)、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(ELD)、场发射显示器(FED)、电子纸、触摸面板、平板PC等。

优选为具备白色发光二极管作为背光光源的VA模式或IPS模式的液晶显示装置。

[图像显示装置的可见性改善方法]

本发明的图像显示装置的可见性改善方法，所述图像显示装置至少具有背光光源和配置于背光光源的可见侧的偏振片，该方法中，

将本发明的透明基材薄膜层叠体配置于偏振片的可见侧，

透明基材薄膜层叠体至少具有第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜，

第一透明基材薄膜的薄膜面内的延迟Re为4000nm以上，

以使第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为45°±20°的方式进行配置，

以使第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为90°±30°或0°±30°的方式进行配置，

第一透明基材薄膜的慢轴与第二透明基材薄膜的慢轴所成的角不是0°或90°，

相对于第一透明基材薄膜，将第二透明基材薄膜配置于可见侧。

通过这种结构，能够提供一种能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生的图像显示装置的可见性改善方法。上述本发明的图像显示装置能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生。并且，使用了这种本发明的图像显示装置的可见性改善方法也是本发明之一。

[实施例]

以下，举出实施例和比较例对本发明进行进一步具体的说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理步骤等只要不脱离本发明的宗旨，则能够适当进行变更。因此，本发明的范围不应通过以下所示的具体例而进行限定性解释。

另外，只要没有特别指定，则“份”为质量基准。

[实施例1]

＜原料聚酯的合成＞

(原料聚酯1)

如以下所示，使对苯二甲酸与乙二醇直接反应而蒸馏除去水，并进行酯化之后，使用在减压下进行缩聚的直接酯化法，通过连续聚合装置得到了原料聚酯1(Sb催化剂类PET)。

(1)酯化反应

在第一酯化反应槽中经90分钟混合高纯度对苯二甲酸4.7吨和乙二醇1.8吨来形成浆料，并以3800kg/小时的流量连续供给至第一酯化反应槽。再连续供给三氧化二锑的乙二醇溶液，在反应槽内温度250℃、搅拌下，经平均滞留时间约4.3小时进行了反应。此时，连续添加了三氧化二锑，以使Sb添加量以元素换算值计成为150ppm。

将该反应物移送到第二酯化反应槽，在搅拌下、反应槽内温度250℃下，经平均滞留时间1.2小时进行了反应。向第二酯化反应槽连续供给了乙酸镁的乙二醇溶液和磷酸三甲酯的乙二醇溶液，以使Mg添加量及P添加量以元素换算值计分别成为65ppm、35ppm。

(2)缩聚反应

将上述中得到的酯化反应产物连续供给至第一缩聚反应槽，在搅拌下、反应温度270℃、反应槽内压力20torr(2.67×10^-3MPa)下，经平均滞留时间约1.8小时进行了缩聚。

进而移送到第二缩聚反应槽，在该反应槽中，在搅拌下、反应槽内温度276℃、反应槽内压力5torr(6.67×10^-4MPa)下，于滞留时间约1.2小时的条件下进行了反应(缩聚)。

接着，进而移送到第三缩聚反应槽，在该反应槽中，在反应槽内温度278℃、反应槽内压力1.5torr(2.0×10^-4MPa)下，于滞留时间1.5小时的条件下进行反应(缩聚)，从而得到反应物(聚对苯二甲酸乙二酯(PET))。

接着，将所得到的反应物向冷水以股线状喷出后，立即切断，从而制作出聚酯的颗粒＜剖面：长径约4mm、短径约2mm、长度：约3mm＞。

所得到的聚合物的固有粘度IV＝0.63(以下，略记为PET1)。将该聚合物设为原料聚酯1。

＜第一透明基材薄膜的制造＞

-薄膜成型工序-

将原料聚酯1(PET1)干燥至含水率20ppm以下之后，投入到直径50mm的单螺杆混炼挤出机的料斗中。使原料聚酯1在300℃下熔融，利用下述挤出条件，经由齿轮泵、过滤器(孔径20μm)从模具中挤出。

熔融树脂的挤出条件设为压力变动为1％、熔融树脂的温度分布为2％而从模具中挤出了熔融树脂。具体而言，背压相对于挤出机的料筒内平均压力加压1％且在挤出机的配管温度相对于挤出机的料筒内平均温度高2％的温度下进行了加热。

向设定为温度25℃的冷却流延鼓上挤出从模具中挤出的熔融树脂，并利用静电施加法使其粘附于冷却流延鼓上。使用与冷却流延鼓对置配置的剥取辊进行剥离，从而得到了未拉伸聚酯薄膜1。

所得到的未拉伸聚酯薄膜1的固有粘度IV＝0.62，长度方向的折射率为1.573，且结晶度为0.2％。

将未拉伸聚酯薄膜1溶解于1,1,2,2-四氯乙烷/苯酚(＝2/3[质量比])混合溶剂中，由该混合溶剂中的25℃下的溶液粘度求出了IV。

未拉伸聚酯薄膜的折射率利用以下方法进行了测定。

使用两片偏振片，求出未拉伸聚酯薄膜的取向轴方向，以使取向轴方向正交的方式切出4cm×2cm的长方形来作为测定用样品。对于该样品，通过阿贝折射率计(ATAGO CO.,LTD.制，NAR-4T，测定波长589nm)求出了正交的两个轴的折射率(nx、ny)及厚度方向的折射率(nz)。

未拉伸聚酯薄膜的结晶度利用以下方法进行了测定。

关于结晶度，能够由薄膜的密度进行计算。即，能够使用薄膜的密度X(g/cm³)、结晶度0％下的密度1.335g/cm³、结晶度100％下的密度1.501g/cm³，通过下述计算式导出结晶度(％)。

结晶度＝{Z×(X-Y)}/{X×(Z-Y)}×100

另外，就密度的测定而言，按照JIS(Japanese Industrial Standards：日本工业标准)K7112进行了测定。

-易粘接层的形成-

以下述比率混合下述化合物而制作出易粘接层用涂布液H1。

易粘接层用涂布液H1

以下示出使用化合物的详细内容。

聚酯树脂：(IC)

利用下述组成的单体进行共聚而得到的聚酯树脂的磺酸类水分散体

单体组成：(酸成分)对苯二甲酸/间苯二甲酸/间苯二甲酸5-磺酸钠//(二醇成分)乙二醇/1,4-丁二醇/二乙二醇＝56/40/4//70/20/10(mol％)

丙烯酸树脂：(II)

利用下述组成的单体进行聚合而得到的丙烯酸树脂的水分散体

丙烯酸乙酯/丙烯酸正丁酯/甲基丙烯酸甲酯/N-羟甲基丙烯酰胺/丙烯酸＝65/21/10/2/2(质量％)的乳化聚合物(乳化剂：阴离子类表面活性剂)

氨基甲酸酯树脂：(IIIB)

将包含含有1,6-己二醇和碳酸二乙酯的数均分子量为2000的聚碳酸酯多元醇400质量份、新戊二醇10.4质量份、异佛尔酮二异氰酸酯58.4质量份、二羟甲基丁酸74.3质量份的预聚物利用三乙胺进行中和，并利用异佛尔酮二胺进行链延长而得到的氨基甲酸酯树脂的水分散体。

三聚氰胺化合物：(VIB)六甲氧基甲基三聚氰胺

粒子：(VII)平均粒径150nm的硅溶胶(平均粒径是指一次平均粒径即一次粒径的平均值。)

-在聚酯薄膜的两面涂布易粘接层-

通过使用绕线棒的棒涂法，在未拉伸聚酯薄膜1的单侧一边以使拉伸后的涂布层的厚度成为50nm的方式调整易粘接层用涂布液H1，一边使用绕线棒进行了涂布。

-横向拉伸工序-

将未拉伸聚酯薄膜1引导至拉幅机(横向拉伸机)，一边利用夹具把持薄膜的端部一边在下述方法、条件下进行了横向拉伸。

--预热部--

利用热风进行了加热，以使拉伸开始时的膜面温度成为89℃。

另外，关于拉伸开始时的膜面温度，在开始拉伸处，通过辐射温度计(HayashiDenko Co.,Ltd.制，型号：RT61-2，在放射率0.95下使用)对薄膜宽度方向的中央部的位置进行了测定。

--拉伸部--

对经预热的未拉伸聚酯薄膜1一边利用热风进行加热，一边在下述条件下使用拉幅机沿宽度方向进行了横向拉伸。

另外，关于各拉伸倍率时刻下的膜面温度，在各拉伸倍率时刻，通过辐射温度计(Hayashi Denko Co.,Ltd.制，型号：RT61-2，在放射率0.95下使用)对薄膜宽度方向的中央部的位置进行了测定。

＜条件＞

·横向拉伸倍率：4.1倍

·2倍拉伸时刻下的膜面温度：90℃

·3倍拉伸时刻下的膜面温度：94℃

·拉伸结束时点下的膜面温度：95℃

--热定型部及热松弛部--

接着，从热风吹出喷嘴对薄膜吹来自相对于薄膜为上下方向的热风，一边将聚酯薄膜的膜面温度控制在下述范围内一边进行了热定型及热松弛处理。

＜条件＞

·最高到达膜面温度(热定型温度)：168℃

·热松弛率：MD方向4％、TD方向1.5％

--冷却部--

接着，通过从冷风吹出喷嘴对薄膜吹来自相对于薄膜为上下方向的冷风来进行了冷却。对薄膜进行了冷却，以使从拉幅机的夹具中释放时的膜面温度成为40℃。

另外，关于膜面温度，通过辐射温度计(Hayashi Denko Co.,Ltd.制，型号：RT61-2，在放射率0.95下使用)对薄膜宽度方向的中央部的位置进行了测定。

--薄膜的回收--

在进行冷却及从夹具中释放薄膜之后，将聚酯薄膜的两端各修剪了20cm。修剪后的薄膜宽度为2m。其后，对两端以宽度10mm进行挤出加工(滚花)之后，以张力18kg/m将4000m长度的薄膜卷取成卷形态。

以如上方式制造出以卷形态卷绕的、下述表1中所记载的厚度的用作第一透明基材薄膜的单轴取向聚酯(单轴取向PET)薄膜。关于单轴取向PET薄膜，长度方向或宽度方向的折射率中较小的一方的折射率为1.610以下，长度方向或宽度方向的折射率中较大的一方的折射率为1.670以上，且结晶度为30％以上，根据这些值可知单轴取向。

＜第二透明基材薄膜的制造＞

(双轴取向PET薄膜的制造)

关于作为层叠有支撑体和导电层的第二透明基材薄膜的支撑体而使用的双轴取向聚酯(双轴取向PET)薄膜，在用作第一透明基材薄膜的单轴取向聚酯薄膜的制造方法中，未进行易粘接层的形成且利用以下方法进行纵向拉伸及横向拉伸来代替横向拉伸工序，除此以外，利用相同的方法进行了制造。关于双轴取向PET薄膜，长度方向及宽度方向的折射率均大于1.610，且结晶度为30％以上，根据这些值可知双轴取向。

以下示出制造双轴取向PET薄膜时的纵向拉伸及横向拉伸的详细内容。

-纵向拉伸工序-

使未拉伸聚酯薄膜通过圆周速度不同的2对夹持辊之间，并在下述条件下沿纵向(输送方向)进行了拉伸。

预热温度：80℃

纵向拉伸温度：90℃

纵向拉伸倍率：3.5倍

纵向拉伸应力：12MPa

-横向拉伸工序-

对于经纵向拉伸的聚酯薄膜(纵向拉伸聚酯薄膜)，使用具有图3所示的结构的拉幅机(双轴拉伸机)，在下述方法、条件下进行了拉伸。

--预热部--

将预热温度设为110℃，并加热至能够进行拉伸。

--拉伸部--

在下述条件下，对经预热的纵向拉伸聚酯薄膜沿与纵向拉伸的方向(长度方向)正交的薄膜宽度方向(TD方向)赋予拉伸力而进行了横向拉伸。

＜条件＞

·拉伸温度(横向拉伸温度)：125℃

·拉伸倍率(横向拉伸倍率)：4.2倍

·拉伸应力(横向拉伸应力)：18MPa

--热定型部--

接着，将聚酯薄膜的最高到达膜面温度(热定型温度)控制在下述范围内并进行加热，使其结晶化。

·最高到达膜面温度(热定型温度T_热定型)：220〔℃〕

此处的热定型温度T_热定型为差示扫描量热测定(Differential>

--热松弛部--

将热定型后的聚酯薄膜加热至下述温度，使薄膜的拉伸得到松弛。

·热松弛温度(T_热松弛)：150℃

·热松弛率：TD方向(TD热松弛率)＝5％

MD方向(MD热松弛率)＝5％

--冷却--

接着，在65℃的冷却温度下，对热松弛后的聚酯薄膜进行了冷却。

-薄膜的回收-

冷却结束后，将聚酯薄膜的两端各修整了20cm。修整后的薄膜宽度为1.3m。然后，对两端以宽度10mm进行挤出加工(滚花)之后，以张力25kg/m将8000m长度的薄膜卷取成卷形态。

以如上方式制作出卷绕成卷形态的下述表2中所记载的厚度的用作第二透明基材薄膜的双轴取向PET薄膜。

(下涂层涂布)

对如上述那样制膜出的双轴拉伸PET薄膜的单面进行电晕处理之后，涂布设置了第一下涂层、第二下涂层。如日本特开2010-256908的段落[0117]～[0120]中所记载那样设定第一下涂层、第二下涂层的组成及涂布方法。

(包含水溶性树脂和银的导电层的形成)

在上述下涂层上涂布设置下述卤化银感光材料而制作出透明导电性薄膜。

-卤化银感光材料-

制备出相对于水介质中的Ag150g包含明胶10.0g的含有球当量直径平均0.1μm的碘溴氯化银粒子(I＝0.2摩尔％、Br＝40摩尔％)的乳剂。另外，将K₃Rh₂Br₉及K₂IrCl₆以使浓度成为10^-7(摩尔/摩尔银)的方式添加到该乳剂中，而在溴化银粒子中掺杂了Rh离子和Ir离子。向该乳剂中添加Na₂PdCl₄，进而使用氯化金酸与硫代硫酸钠进行金硫增感之后，以使银的涂布量成为10g/m²的方式，与明胶硬膜剂一同涂布于第二透明基材薄膜的上述下涂层上。此时，将Ag:明胶的体积比设为2:1。

以1.3m的宽度进行2000m的涂布，以涂布的中央部残留1.2m的方式将两端切掉而得到了卷状的卤化银感光材料。

(曝光)

关于曝光的图案，按照日本专利4820451号的图1所示的导电图案来形成。将小格子(日本专利4820451号的图1的符号18)的排列间距Ps设为200μm，将中格子(日本专利4820451号的图1的符号20a～h)的排列间距Pm设为2×Ps。并且，将小格子(日本专利4820451号的图1的符号18)的导电层的厚度设为2μm，将宽度设为10μm。关于曝光，经由上述图案的光掩模，使用将高压汞灯作为光源的平行光进行了曝光。

并且，在按照日本专利4820451号的图5形成了导电图案的情况下，下述评价结果也得到了与日本专利4820451号的图1的情况相同的结果。

(显影处理)

显影液1L的配方如下。

pH(power of hydrogen：酸碱度)调整为10.3。

定影液1L的配方如下。

pH调整为6.2。

使用上述处理剂，将已经曝光的感光材料使用FUJIFILM Co.,Ltd.制自动显影机FG-710PTS，在处理条件即显影：35℃、30秒钟；定影：34℃、23秒钟；水洗：流水(5L/分钟)下进行了20秒钟处理。

形成了包含如此形成的被配置成网格状的多个金属细线且金属细线包含银或含银的合金的方式的导电层。下述表2中，将该方式的导电层记载为“银网格”。将所得到的双轴取向PET薄膜与导电层的层叠体用作第二透明基材薄膜。

＜透明基材薄膜层叠体的制造＞

将所得到的宽度1.2m的长条的第二透明基材薄膜与后述的图像显示装置(液晶显示器，FLATORON IPS226V，LG Electronics Japan公司制，图像显示部为纵27cm、横48cm)的图像显示部的纵向的边对齐，首先与切割前的第二透明基材薄膜的宽度方向平行地切割成4条，并加工成长条的4条薄膜。对于切割后的第二透明基材薄膜，测定了第二透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度。在切割后的第二透明基材薄膜之中，使用了第二透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度为下述表2中所记载的角度的第二透明基材薄膜。另外，一般而言，在薄膜的宽度方向中央，薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度的偏离较小，在宽度方向端部，薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度的偏离较大。因此，能够根据切割前的薄膜的位置来选择切割后的薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度。接着，以与图像显示装置的图像显示部的横向的边对齐的方式将切割后的第二透明基材薄膜切出成长方形状。

从卷中卷出宽度2m的第一透明基材薄膜，以成为与切出成长方形状的第二透明基材薄膜相同宽度的方式，首先沿切割前的第一透明基材薄膜的宽度方向切割成6条，并加工成长条的6条薄膜。对于切割后的第一透明基材薄膜，测定了第一透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度。其中，在切割后的第一透明基材薄膜之中，使用了第一透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度为下述表1中所记载的角度的第一透明基材薄膜。接着，切出成与第二透明基材薄膜相同大小的长方形状。

另外，利用后述的方法预先求出了第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴的方位。

然后，将第一透明基材薄膜和第二透明基材薄膜以成为下述表1及表2中所记载的第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角、第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角、以及第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角的方式经由粘结材料(LINTEC Corporation制，Opteria MOseries)进行了贴合。

关于透明基材薄膜层叠体中的第一透明基材薄膜，第一透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度优选为0°±10°或90°±10°，更优选为0°±5°或90°±5°，尤其优选为0°±3°或90°±3°。

关于透明基材薄膜层叠体中的第二透明基材薄膜，第二透明基材薄膜的相对于宽度方向的慢轴角度优选为0°±30°或90°±30°，更优选为0°±15°或90°±15°，尤其优选为0°±7°或90°±7°。

＜图像显示装置的制造＞

在连续光源(白色LED)的背光光源上使用了依次配置有背光侧偏振片、液晶单元及可见侧偏振片的图像显示装置(液晶显示器，FLATORON IPS226V，LG Electronics Japan公司制)。在该可见侧偏振片上以使第二透明基材薄膜的配置位置成为下述表2中所记载的位置的方式经由粘接剂(Kyoritsu Chemical&Co.,Ltd.制，WORLD ROCK HRJ)贴合了实施例1的透明基材薄膜层叠体。

另外，以使透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角成为下述表1及表2中所记载的角度的方式贴合了偏振片和透明基材薄膜层叠体。

另外，将透明基材薄膜层叠体的左右边与偏振片的吸收轴所成的角设为0°。

所使用的图像显示装置中，偏振片的吸收轴(偏振器的吸收轴)相对于图像显示装置的图像显示部(显示画面)为左右方向，图像显示装置的图像显示部的左右方向的各边与偏振片的吸收轴所成的角为0°。透明基材薄膜、偏振片、图像显示装置的图像显示部从图像显示装置的可见侧观察时为长方形的形状。即，透明基材薄膜的各边与偏振片的吸收轴所成的角、或透明基材薄膜的各边与图像显示装置的各边所成的角均设为0°(横向)及90°(纵向)。

[实施例2～17、比较例1～8]

如下述表1及表2中所记载那样变更了第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的厚度、Re、Rth、Re/Rth、慢轴与偏振片的吸收轴所成的角、透明导电层、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角、第二透明基材薄膜配置位置，除此以外，以与实施例1相同的方式制造出各实施例及比较例的透明基材薄膜层叠体及图像显示装置。

另外，第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的Re、Rth、Re/Rth通过适当变更纵向拉伸倍率、横向拉伸倍率、横向拉伸膜温(膜面温度)、热定型/松弛时的最高到达膜面温度、MD松弛率、TD松弛率、薄膜厚度来进行了调整。

实施例17中，参考日本特开2010-27293号公报的[0042]～[0045]段落形成了包含氧化物的方式的导电层，所述氧化物包含含有氧化锡的氧化铟。下述表2中，将该方式的导电层记载为“ITO”。

[薄膜测定结果]

＜薄膜厚度的测定＞

以如下方式求出了所得到的各透明基材薄膜的厚度。

对于各透明基材薄膜，使用接触式膜厚测定仪(Anritsu公司制)，在纵向拉伸的方向(长度方向)上的0.5m上以等间隔采样50处，进而在薄膜宽度方向(与长度方向正交的方向)上的薄膜的整个宽度上以等间隔(在宽度方向上进行50等分)采样50处之后，测定了该100处的厚度。求出该100处的平均厚度来作为透明基材薄膜的厚度。将结果示于下述表1及表2。

＜Re、Rth、Re/Rth＞

薄膜面内的延迟Re为以薄膜上的正交的两个轴的折射率的各向异性(Δnxy＝|nx-ny|)与薄膜的厚度d(nm)之积(Δnxy×d)定义的参数，是表示光学的各向同性、各向异性的尺度。通过以下方法求出了两个轴的折射率的各向异性(Δnxy)。使用两片偏振片，求出薄膜的取向轴方向，以使取向轴方向正交的方式切出4cm×2cm的长方形，作为测定用样品。对于该样品，通过阿贝折射率计(ATAGO CO.,LTD.制，NAR-4T，测定波长589nm)求出正交的两个轴的折射率(nx、ny)及厚度方向的折射率(nz)，将两个轴的折射率差的绝对值(|nx-ny|)设为折射率的各向异性(Δnxy)。使用电测微计(Feinpruf GmbH公司制，Millitron1245D)测定薄膜的厚度d(nm)，并将单位换算成nm。通过折射率的各向异性(Δnxy)与薄膜的厚度d(nm)之积(Δnxy×d)求出了延迟(Re)。

由Rth＝{(nx+ny)/2-nz}×d计算出薄膜厚度方向的延迟Rth。利用与延迟的测定相同的方法求出nx、ny、nz和薄膜的厚度d(nm)，并计算出Rth＝{(nx+ny)/2-nz}×d来求出了薄膜厚度方向的延迟(Rth)。

由所得到的Re及Rth计算出Re/Rth。

将结果示于下述表1及表2。

＜透明基材薄膜的慢轴的测定、偏振片的吸收轴所成的角的测定、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角的测定＞

使用溶剂，从各实施例及比较例的图像显示装置分别剥离并分离出经由粘接剂或粘结材料而贴合的偏振片、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜。作为溶剂，使用了丙酮，但只要在不溶解偏振片或透明基材本身的状态下剥离粘接剂或粘结材料，则可以使用任何溶剂。例如，可以举出四氢呋喃或乙醇等溶剂。

对于分离出的偏振片，在偏振片的中央部，以与偏振片的左右边平行、垂直的方式将样品切出成50mm见方。使用该样品，并使用JASCO Corporation制VAP-7070测定了偏振片的吸收轴的方位。

对于分离出的第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜，在各薄膜的中央部，以与薄膜的左右边平行、垂直的方式将样品切出成50mm见方。使用该样品，并使用OtsukaElectronics Co.,Ltd.制RETS2000测定了慢轴的方位。

根据所得到的偏振片的吸收轴的方位和第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴的方位求出了各实施例及比较例的透明基材薄膜层叠体的状态下的透明基材薄膜与偏振片的吸收轴所成的角、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角。将所得到的结果记载于下述表1及表2。

这些测定在25℃、相对湿度60％的条件下进行。

另外，确认到所得到的透明基材薄膜与偏振片的吸收轴所成的角、第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角分别与制造图像显示装置时贴合各部件时的角度一致。

[评价]

＜生产损失＞

卷出以宽度1.3m且长度8000m制膜出的冲孔前的第二透明基材薄膜。按以下述表1及表2中所记载的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角与偏振片贴合的形状、即各实施例及比较例的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状，将第二透明基材薄膜在长度方向及宽度方向上赋予角度而进行了冲孔。

按以下基准评价了生产损失。实用上，生产损失需为A、B或C评价，优选为A或B评价，更优选为A评价。

A：由冲孔前的第二透明基材薄膜得到95％以上的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状的第二透明基材薄膜。

B：由冲孔前的第二透明基材薄膜得到80％以上且小于95％的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状的第二透明基材薄膜。

C：由冲孔前的第二透明基材薄膜得到65％以上且小于80％的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状的第二透明基材薄膜。

D：由冲孔前的第二透明基材薄膜得到50％以上且小于65％的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状的第二透明基材薄膜。

E：由冲孔前的第二透明基材薄膜得到小于50％的透明基材薄膜层叠体中所使用的形状的第二透明基材薄膜。

将评价结果示于下述表2。

＜彩虹状不均匀＞

点亮所得到的图像显示装置的背光光源，按以下基准，透过偏光太阳镜用肉眼评价了所产生的彩虹状不均匀。实用上，彩虹状不均匀需为A、B或C评价，优选为A或B评价，更优选为A评价。

A：完全看不到彩虹状不均匀。

B：看不到彩虹状不均匀。

C：几乎看不到彩虹状不均匀。

D：可以看到彩虹状不均匀。

E：可以明显地看到彩虹状不均匀。

将评价结果示于下述表2。

＜遮光＞

点亮所得到的图像显示装置的背光光源，按以下基准评价了一边旋转偏光太阳镜一边观察所产生的遮光。实用上，遮光需为A、B或C评价，优选为A或B评价，更优选为A评价。

A：完全没有引起遮光。

B：存在稍暗的部分。

C：存在稍许变暗的部分。

D：引起遮光。

将评价的结果示于下述表2。

由上述表1及表2可知，本发明的透明基材薄膜层叠体能够抑制生产损失，且能够抑制彩虹状不均匀的产生，并且能够抑制遮光的产生。另外，利用本说明书中所记载的方法测定了本发明的透明基材薄膜层叠体的第一透明基材薄膜、第二透明基材薄膜、透明导电层及透明基材薄膜层叠体的透射率，其结果，第一透明基材薄膜的透射率为90％以上，第二透明基材薄膜、透明导电层及透明基材薄膜层叠体的透射率为80％以上。

另一方面，由比较例1可知，若第一透明基材薄膜的Re低于本发明中所规定的下限值，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

由比较例2可知，若第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角在本发明中所规定的范围外，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生，且无法充分抑制遮光的产生。

由比较例3可知，若第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角在本发明中所规定的范围外且第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角在本发明中所规定的范围外，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生，且无法充分抑制遮光的产生。

由比较例4可知，若第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角在本发明中所规定的范围外，则无法充分抑制生产损失，且无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

由比较例5可知，若第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角在本发明中所规定的范围外且第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角在本发明中所规定的范围外，则无法充分抑制生产损失，且无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

由比较例6可知，若第一透明基材薄膜的Re低于本发明中所规定的下限值且第二透明基材薄膜配置位置在比第一透明基材薄膜更靠背光光源侧，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

由比较例7可知，若第一透明基材薄膜及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角在本发明中所规定的范围外，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

由比较例8可知，若第二透明基材薄膜配置位置在比第一透明基材薄膜更靠背光光源侧，则无法充分抑制彩虹状不均匀的产生。

符号说明

1-第一透明基材薄膜，1A-第一透明基材薄膜的慢轴的方位，2-第二透明基材薄膜，2A-第二透明基材薄膜的慢轴的方位，3-粘结材料，4-导电层，5-透明基材薄膜层叠体，6-前面板，7-触摸面板，11-偏振片，11A-偏振片的吸收轴的方位，12-粘接剂，13-液晶单元，14-背光光源，15-图像显示装置，21A-可见侧，111A-第一透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角，112A-第二透明基材薄膜的慢轴与偏振片的吸收轴所成的角，113A-第一透明基材薄膜的慢轴及第二透明基材薄膜的慢轴彼此所成的角。