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半导体存储器件的延迟电路、半导体存储器件及操作方法

摘要

一种半导体存储器件的延迟电路包括延迟链、第一相位转换器和第二相位转换器。延迟链连接在输入端子和输出端子之间,包括2N个延迟单元,并延迟第一中间信号以产生第二中间信号。第一相位转换器连接到输入端子,并且向延迟链提供第一中间信号,其中第一中间信号是通过响应于控制信号将输入信号的相位反相或者通过保持输入信号的相位而产生的。第二相位转换器连接到输出端子,并且通过响应于控制信号将第二中间信号的相位反相或通过保持第二中间信号的相位而产生输出信号。

著录项

  • 公开/公告号CN107527647A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201710478004.4

  • 发明设计人 安成悟;姜锡龙;柳慧承;郑载勋;

    申请日2017-06-21

  • 分类号G11C11/406(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周祺

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-06-19 04:09:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-06-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/406 申请日:20170621

    实质审查的生效

  • 2017-12-29

    公开

    公开

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